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肖特基二极管相关专家

专家介绍

	吴频吉	17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。
	姜辉	姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计，之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器，负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展，随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。
	蔡志威	有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。
	周丽娜	周丽娜（Ally Zhou）拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来，专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学，芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学，获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前，曾在Synopsys工作，主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。

肖特基二极管相关知识

集成理想二极管、源选择器和eFuse有助于增强系统鲁棒性

本文研究具有背靠背MOSFET的理想二极管以及其他更先进的器件。文中还介绍了一种集成多种功能以提供整体系统保护的理想二极管解决方案。二极管是非常有用的器件，对许多应用都很重要。标准硅二极管的压降为0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说，压降不是问题，但在高电流应用中，各个压降会产生显著的功率损耗。理想二极管是此类应用的理想器件。幸运的是，MOSFET可以取代标准硅二极管，并提供意想不到的应用优势。
如果不说你会特别留意肖特基二极管的这些参数吗？

我们在肖特基二极管设计过程中，肖特基二极管与普通二极管有什么区别，有哪些参数与特点我们需要留意。本文分享那些电感容易忽略关键参数。
新型 GaAs 功率肖特基二极管的电气行为

通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1]；此外，它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3]，但不能超过物理极限。
SiC优势、应用及加速向脱碳方向发展

如今，大多数半导体都是以硅（Si）为基材料，但近年来，一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅，也称为SiC。目前，SiC主要应用于MOSFET和肖特基二极管等半导体技术。
为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样

在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
反向电流阻断电路设计

二极管，特别是肖特基二极管，天然具有反向电流和反极性保护的功能，但是成本高，反向漏电流大，需要散热。

肖特基二极管相关问答

[问:]	专门为12v输入的低电压输出应用优化的产品有那些？
[答]	Ｒ２Ｊ２０６５７ＮＰ／６５８／６５４
[问:]	在同一系统中多次使用DrMos产品会不会带来负面影响？
[答]	不会
[问:]	POL-sip66产品相对于老一代的88产品的优点是什么？
[答]	性价比更高
[问:]	在使用中，如何对R2J20608NP与R2J20609NP进行选择？
[答]	支持的最大输入电压不一样，看你的应用环境学则
[问:]	瑞萨双重过热保护功能是怎样实现的？
[答]	您好：　　　通过热点温度感应，芯片能识别外部的温度，根据温度的不同数值进行控制。谢谢！

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