2012年05月16日
10:00--12:00
2012年03月29日
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2011年11月22日
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2011年08月30日
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2011年08月10日
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2011年03月15日
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2011年01月19日
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2010年12月21日
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2010年06月29日
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2010年06月10日
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吴频吉 |
17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 |
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姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计，之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器，负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展，随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 |
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蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 |
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周丽娜 |
周丽娜（Ally Zhou）拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来，专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学，芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学，获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前，曾在Synopsys工作，主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
| [问:] | IGBT与可控硅的区别？ |
| [答] | IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制； 可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。 |
| [问:] | 请教专家：IGBT这一器件在使用中主要的失效模式与失效机理是哪项？ |
| [答] | 失效模式有电压击穿，以及热损坏。失效机理为反冲电压过高，以及功率超过器件规格 |
| [问:] | 从门极上撤销有效驱动信号到IGBT真正断开，需要多长时间？ |
| [答] | 需要看ＩＧＢＴ的关断性能。Ｔｆ时间有些长有些短，而且也依靠外部的放电回路 |
| [问:] | 本次座谈的PDF文档在哪儿下载的？ |
| [答] | 座谈结束后,您可以在本网站下载. |
| [问:] | IGBT内置了快速恢复二极管，是否还有必要外接外置的快速恢复二极管？ |
| [答] | 一般不需要外接.如果您的应用对快速恢复二极管有特殊要求,也可以选择不带FRD的IGBT,再选择外接您所要求的FRD.瑞萨也提供单独FRD产品.具体可查询我们的网站cn.renesas.com |
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