2011年12月1日
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2011年05月19日
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2010年09月20日
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2010年08月31日
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2010年07月13日
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2010年01月26日
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2009年12月18日
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2009年04月10日
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2008年08月25日
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2008年07月15日
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吴频吉 |
17年半导体产品支持经验,参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 | |
姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计,之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器,负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展,随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 | |
蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 | |
周丽娜 |
周丽娜(Ally Zhou)拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来,专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学,芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学,获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前,曾在Synopsys工作,主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
在本文中,我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性,以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力,这些努力不仅提升了产品性能,还确保了卓越的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
[问:] | layout上有什麽特別需要注意的地方? |
[答] | 电极大小和覆盖材料适配。和射频干扰尽量远离或隔离。走线要细短,避免粗大如同触摸检测电极一样 |
[问:] | MPR121有用在notebook,tablet的案例嗎? |
[答] | 目前都有客户做相关产品的设计。具体可以和我们联系 |
[问:] | 触摸传感器可以应用到家用护理电器以及医疗电器上吗? |
[答] | 不知道医疗上是否有特殊的要求,比如一些性能参数能,如果只就功能来讲完全可以 |
[问:] | MPR121最多能提供多少路的LED驱动功能? |
[答] | 支持8路gpio同时驱动,驱动电流12MA |
[问:] | MPR121可以承受的低温与高温极限时多少度? |
[答] | -40--85 |