2018年04月10日
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2017年09月12日
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2017年07月11日
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2017年04月25日
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2017年03月23日
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2016年11月9日
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2013年09月25日
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2013年01月15日
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2012年09月25日
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2012年06月6日
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吴频吉 |
17年半导体产品支持经验,参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 | |
姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计,之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器,负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展,随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 | |
蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 | |
周丽娜 |
周丽娜(Ally Zhou)拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来,专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学,芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学,获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前,曾在Synopsys工作,主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
在本文中,我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性,以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力,这些努力不仅提升了产品性能,还确保了卓越的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
[问:] | 请问COMS的工艺进步都有哪些方面?谢谢 |
[答] | 您好,您应该指的是CMOS,而该问题不属于本次研讨会讲解的范畴,感谢您关注COMSOL仿真软件 |
[问:] | 仿真库用户自己建吗? |
[答] | 您指的库应该是仿真模型的意思,是的,需要自己建立相关的仿真模型的,并在此基础上进行计算模拟 |
[问:] | 跟智能开关有关吗? |
[答] | 如果是关注设备器件的仿真,是相关的。COMSOL主要就是做设备的仿真。 |
[问:] | 有测试板试用吗? |
[答] | COMSOL是一款仿真软件,需要在您知道参数和物理过程的前提下,对其工作过程进行模拟,进而指导和优化器件设计和制造,而并非是一款对实体进行实验测试的软件。 |
[问:] | 设备仿真是指光场?还是电磁辐射? |
[答] | 光场就是一种电磁辐射,二者是一回事。对光场或者电磁波辐射的模拟,是包含在COMSOL对设备仿真的功能里的。 |