2007年8月30日
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2007年8月16日
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2007年8月15日
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2007年7月31日
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2007年7月19日
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2007年6月27日
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2007年6月7日
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2007年6月6日
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2007年5月22日
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IGBT与可控硅的区别?
IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关,开通和关断可控制; 可控硅需要电流脉冲驱动开通,一旦开通,通过门极无法关断,需要主电路电流关断或很小才能关断。
请教专家:IGBT这一器件在使用中主要的失效模式与失效机理是哪项?
失效模式有电压击穿,以及热损坏。失效机理为反冲电压过高,以及功率超过器件规格
从门极上撤销有效驱动信号到IGBT真正断开,需要多长时间?
需要看IGBT的关断性能。Tf时间有些长有些短,而且也依靠外部的放电回路