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IGBT与可控硅的区别？

IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。
请教专家：IGBT这一器件在使用中主要的失效模式与失效机理是哪项？

失效模式有电压击穿，以及热损坏。失效机理为反冲电压过高，以及功率超过器件规格
从门极上撤销有效驱动信号到IGBT真正断开，需要多长时间？

需要看ＩＧＢＴ的关断性能。Ｔｆ时间有些长有些短，而且也依靠外部的放电回路

- 王又法
- 研发及应用主管工程师
- 王又法，博士，现在在安华高科技公司(Avago Technologies)任研发及应用主管工程师。毕业于中国南京理工大学电子工程系，并获上海大学电子工程硕士学位和无线电物理博士学位。
- 周明
- 市场营销技术工程师
- 2001年毕业于湖南大学应用物理系，微电子专业，获工程学士学位。 2006年加入安华高科技公司(Avago Technologies)，任市场营销技术工程师，在此之前，曾在阿尔卡特公司(Alcatel)担任硬件研发工程师。爱好：钓鱼，旅游，看电影，游泳。
- 陈秋燕
- 高级应用工程师
- 陈秋燕任安华科高科技无线半导体部门的高级应用工程师，主要从事RF放大器应用的相关工作。她毕业于马来西亚理工大学，获电子通信学位。可以通过chew-ean.tan@avagotech.com与其联系。
- 苏志荣
- 产品行销经理
- 苏志荣任安华高科技无线半导体部门 GaAs pHEMT器件的产品行销经理。他毕业于马来西来多媒体大学，获电子工程学位。可以通过chee-yong.saw@avagotech.com与其联系。

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