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IGBT与可控硅的区别？

IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。
请教专家：IGBT这一器件在使用中主要的失效模式与失效机理是哪项？

失效模式有电压击穿，以及热损坏。失效机理为反冲电压过高，以及功率超过器件规格
从门极上撤销有效驱动信号到IGBT真正断开，需要多长时间？

需要看ＩＧＢＴ的关断性能。Ｔｆ时间有些长有些短，而且也依靠外部的放电回路

- Eddie Ho
- 高级技术销售经理
- Eddie Ho 在半导体行业从业逾 20 年，在传感器和微控制器产品的市场营销和业务发展方面经验丰富。他目前是汽车与工业类产品的高级技术销售经理。Eddie 拥有理学学士和工商管理学硕士学位。
- 钟英东
- 钟英东是IDT公司无线电源领域的业务发展经理，他拥有10年以上通信基础设施和电力应用工程的经验。在加入IDT公司之前，他曾就职于NXP公司，担任应用工程师。 He is Business development manager at IDT focusing on Wireless Power market, Eric brings 10+ years of communication infrastructure and power application engineering experiences. ..
- 邝建超
- 资深现场应用工程师
- 成立于1980 年的Integrated Device Technology (IDT), 是一所致力以创新系统优化应用和用户体验的半导体公司。邝建超是IDT的资深现场应用工程师，拥有10年以上的半导体技术支持经验，对芯片和相关应用都有全面的知识。邝先生现在主要负责IDT的电源管理芯片、马达驱动和传感器信号调整芯片的技术支持。

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