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主题：Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍

GaN HEMT目前性价比还有待提高吧？

是的
和IGBT比反应速度如何

和IGBT比差不多得快10倍的速率
高频MOS管有没有

GAN本身就是高频功率器件

《进入座谈详情

专家

- 申晓峰
- Staff Applications Engineer, Wired Connectivity Products
- 申晓峰先生毕业于浙江大学，获得电气工程硕士学位。现任Cypress应用工程师，主要负责Type C产品线的项目支持和应用开发。直接参与多款著名品牌笔记本电脑、手机及充电器项目的研发工作。
- 朱雄辉
- 赛普拉斯
  区域市场经理
- 朱雄辉先生现任赛普拉斯区域市场经理，负责USB产品线的市场拓展。他在半导体领域有超过18年的市场和技术经验。在加入赛普拉斯之前，他历任Telepath公司销售副总裁、Agatelogic 公司高级市场经理、ST Microeletronics 大中华区技术市场经理、Putian SmartCom公司智能手机开发经理等职位。朱雄辉先生毕业于西安电子科技大学，获得计算机科学和技术硕士学位。
- Barry Weng
- IoT产品线资深工程师
- Barry Weng 现任赛普拉斯 IoT产品线资深工程师，负责IoT 客户、平台、产品的配合与技术支持，具有多年的WIFI/BT技术积累，熟悉IoT 产品特点及市场趋势。加入赛普拉斯之前，他在博通担任Channel FAE及FAE Manager，负责Mobile与 Wireless Platform相关业务。
- 王一杭
- 产品经理
- 主要负责拟定针对计算机市场的触摸感应应用方案及市场策略。此外，他还负责开发触摸感应技术的合作伙伴项目并拟定相应方案。王一杭先生毕业于加拿大Waterloo 大学获计算机工程实用科学学士学位。现在赛普拉斯半导体台北办事处工作。

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