在线座谈

热门关键字: 嵌入式微处理器 电磁兼容性 三极管 电磁波 

在线座谈 > 热搜词大全 > 

精彩问答

主题:Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍

  • GaN HEMT目前性价比还有待提高吧?

    是的

  • 和IGBT比反应速度如何

    和IGBT比差不多得快10倍的速率

  • 高频MOS管有没有

    GAN本身就是高频功率器件

《 进入座谈详情

专家

    • 谢祖永
    • G-Wearables.LTD研发经理,资深研发工程师
    • 主要负责解决方案、技术培训、核心算法开发和技术支持等。在行业工作近9年,在传感器应用、数模混合信号系统,机光电集成系统领域有丰富的开发和研究经验。