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TLA5000系列用来测DDR1，在采样率，测试探点连接，夹具方面有什么不足，可以满足时序验证的要求吗？

TLA5000采样率可以到2GS/s, 可以支持的状态分析时钟是235M.可以支持DDR1的测试。但是只能手动的方法去采集和手动的解码。因为TLA5000不知道DDR分析软件的安装。
SO-DIMMDDRIII的片内终结在电路板上是如何实现的？外观上有什么区别没有，相对于DDRII来说。

片内终结电阻是在DRAM芯片内部的，和电路板没有关系的。而控制片内终结电阻的选择的是MCH(内存控制器)
DDR3在长期运行中，会不会出现过热而影响性能？

有这样的可能

- 王又法
- 研发及应用主管工程师
- 王又法，博士，现在在安华高科技公司(Avago Technologies)任研发及应用主管工程师。毕业于中国南京理工大学电子工程系，并获上海大学电子工程硕士学位和无线电物理博士学位。
- 周明
- 市场营销技术工程师
- 2001年毕业于湖南大学应用物理系，微电子专业，获工程学士学位。 2006年加入安华高科技公司(Avago Technologies)，任市场营销技术工程师，在此之前，曾在阿尔卡特公司(Alcatel)担任硬件研发工程师。爱好：钓鱼，旅游，看电影，游泳。
- 陈秋燕
- 高级应用工程师
- 陈秋燕任安华科高科技无线半导体部门的高级应用工程师，主要从事RF放大器应用的相关工作。她毕业于马来西亚理工大学，获电子通信学位。可以通过chew-ean.tan@avagotech.com与其联系。
- 苏志荣
- 产品行销经理
- 苏志荣任安华高科技无线半导体部门 GaAs pHEMT器件的产品行销经理。他毕业于马来西来多媒体大学，获电子工程学位。可以通过chee-yong.saw@avagotech.com与其联系。

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