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精彩问答

主题：Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍

• 

  GaN HEMT目前性价比还有待提高吧？

  是的

  
• 

  和IGBT比反应速度如何

  和IGBT比差不多得快10倍的速率

  
• 

  高频MOS管有没有

  GAN本身就是高频功率器件

  

《 进入座谈详情

专家

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  • 谢祖永
  • G-Wearables.LTD研发经理,资深研发工程师
  • 主要负责解决方案、技术培训、核心算法开发和技术支持等。在行业工作近9年，在传感器应用、数模混合信号系统，机光电集成系统领域有丰富的开发和研究经验。

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