在线座谈

热门关键字: 电机控制方案 电机控制技术 车身控制模块 超声波 

关于本次座谈

座谈简介

针对有望在全球范围内进一步扩大需求的储能 (ESS) 市场,罗姆提供包括 Si (硅) 和 SiC (碳化硅) 以及 GaN (氮化镓) 在内的阵容丰富的功率器件。此外,在针对应用方面,为了更好地发挥这些功率器件的性能,罗姆还开发了栅极驱动 IC、电流传感器、电源管理 IC 等配套 IC,借此助力系统的节能和小型化发展。在此次研讨会,我们将围绕基于这些功率器件以及 IC 产品开发而积累起来的功率电子和模拟技术,介绍罗姆的储能系统解决方案。


• 凡当天参加研讨会并积极互动学习的工程师网友,均有机会获得如下奖品,请大家积极参与互动转发。

• 温馨提醒:请及时更新以及补充会员资料,我们的中奖信息会以邮件的方式通知您。

• 奖品设置如下:以下图片仅供参考,以实物为准,中电网有最终解释权。

 

• 本次活动不收取任何费用;

• 主办方对本次活动享有最终解释权;

• 报名本次活动的用户同意接收罗姆半导体有关业界动态和产品的最新消息及其他信息,并了解自己可以随时拒绝接收这些信息。

专家介绍

欧阳荣 欧阳荣
罗姆半导体 (深圳) 有限公司
技术中心产品经理
欧阳荣先生是现任罗姆半导体技术中心产品经理,在功率器件领域方面他是一名资深工程师,多年深耕 SiC 和 GaN 器件的推广与应用,对第三代宽禁带器件工艺及相关市场有较深入认识。

精彩问答

[问:] 罗姆的可追溯体制是什么操作?谢谢
[答:] 常规品和车规品产线独立、分别管理,各自可追溯
[问:] 罗姆DAC是多少位的?
[答:] 16位
[问:] ESS方案目前已经规模化应用了吗
[答:] yes
[问:] EcoGaN器件功耗怎么样
[答:] 功耗很小 效率可达98%以上
[问:] 抗扰防噪是否也有哪些优化拓展
[答:] Due to SiC MOSFET have the better performance on the thermal and power rating, we can use the better power supply topologies to prevent the EMI and noise. The soft swtiching topology can be used.
[问:] 在高频方面,选择GaN (氮化镓)还是GaN (氮化镓)更合适?
[答:] 1Mhz左右的超高频推荐使用GaN
[问:] SiC (碳化硅) 的开关频率最高一般可达到多少?
[答:] 300khz以下使用
[问:] SiC (碳化硅) 的开关频率最高一般可达到多少?
[答:] 一般在300k
[问:] 罗姆储能系统维护方便么?
[答:] 这仅是参考设计,还没涉及到维护这一块
[问:] SiC 与 GaN 合理的应用频率极限能有多高
[答:] SiC < 500kHz; GaN < 1M Hz
[问:] 第4代SiC MOSFET短路耐受时间多少?
[答:] 5.5us
[问:] 可以储能多长时间
[答:] depends on battery size
[问:] 储能系统 (ESS)适应小型化怎样?
[答:] 用GAN可以实现小型化
[问:] 储能系统 (ESS)适应小型化怎样?
[答:] can use GaN
[问:] 请问推荐的国产MCU可以对标STM32G4?谢谢
[答:] GD E5系列
[问:] 罗姆方案的自主的独特创新元素有哪些
[答:] 罗姆2000年开始独立研究SIC 2010独立研究GAN
[问:] 罗姆储能系统怎样进行热管理?
[答:] 可以提供热仿真
[问:] 罗姆储能系统怎样进行热管理?
[答:] can be by convection or water cooling
[问:] 罗姆的功率器件转换效率达到多少?
[答:] Usually, our customer can build the DCDC converter efficiency around 98% to 99.3%.
[问:] 电流传感器怎么选型?余量留多少?
[答:] 取最大峰值电流的120%即可。余量20%
[问:] 螺母是通过第4代SiC MOSFET来控制的吗?
[答:] 4代SIC有更高的优势
[问:] SiC 与 GaN 是否也有哪些性能短板呢
[答:] 目前优势明显业有一点点短板,良好的设计可以避免短板
[问:] ESS能源设备的维护和管理难度如何?
[答:] ESS system complies with UL standard, maintenance is according to e.g. UL1741 , UL9540 .. .
[问:] 储能系统涉及哪几个方面
[答:] ADDC,DCDC,BMS,电池,能源 管理系统,PV
[问:] 怎么减小SIC MOSFET 分布电感?
[答:] 4pin的插件封装,和7pin的贴片封装,寄生参数和开关波形 更优秀。
[问:] 怎么减小SIC MOSFET 分布电感?
[答:] 封装有关
[问:] 采用罗姆的器件,是否能够减少设计中的成本?
[答:] 可以
[问:] 罗姆的能效比水平能达多高
[答:] 与系统设计有关系
[问:] 氮化镓相比硅功率器件,成本会大幅上升吗?
[答:] 单独拿GaN和Si比,GaN价格更高,但整机成本并不一定更高。 GaN随着发展价格会
[问:] 氮化镓相比硅功率器件,成本会大幅上升吗?
[答:] 未来GaN有很大成本空间
[问:] ROHM碳化硅MOSFET管工作电压范围是?
[答:] 650/1200V +
[问:] ROHM碳化硅MOSFET管工作电压范围是?
[答:] 750V 1200V 1700V三个档位
[问:] GaN储能系统未来5年的发展趋势怎么样?
[答:] 3KW以下GaN是趋势
[问:] 如何降低栅漏电容(Cgd)?
[答:] ROHM有独特的工艺
[问:] 无线通信基站可以用吗
[答:] 48V Energy storage solution is common for base station
[问:] 无线通信基站可以用吗
[答:] 可用GaN
[问:] ROHM的SIC碳化硅MOSFET的驱动电压最低是多少V?
[答:] 15V满足要求
[问:] SiC (碳化硅) 与 GaN (氮化镓) 在性能上有什么不同?
[答:] switching frequency of SiC
[问:] SiC (碳化硅) 与 GaN (氮化镓) 在性能上有什么不同?
[答:] SIC高压1200V GAN频率1MHZ 主要区别
[问:] 是否驱动的负压越低越好?
[答:] Please check with our demo board design.
[问:] 是否驱动的负压越低越好?
[答:] 不是,一个3-5V的负压已经能保证快速的关断
[问:] 如何控制寄生电容增加?
[答:] Please check with the demo board, basically connect the gate driver circuit to MOSFET as close as possible.
[问:] 如何控制寄生电容增加?
[答:] PCB layout, gate and source in proximity
[问:] 如何控制寄生电容增加?
[答:] 基板及变压器寄生电容的话 需要工厂侧配合
[问:] 罗姆储能系统 (ESS) 解决方案目前有哪些实际应用案例?
[答:] 最大到225KW的储能 都有实际成绩
[问:] 请问参考设计高低压分至两块板的考虑是什么?谢谢
[答:] seperate the AC-DC and DC-DC boards, more flexible for customers to choose application scenarios
[问:] 请问参考设计高低压分至两块板的考虑是什么?谢谢
[答:] because some energy storage solution, no need to tie to grid
[问:] 罗姆的储能系统解决方案是否支持太阳能和风能等可再生能源应用?
[答:] 支持
[问:] ROHM的Si功率元器件在保存时有哪些注意事项?
[答:] 安规格书上的保存要求即可
[问:] 有没有可输出两路隔离电源的电源管理芯片推荐?
[答:] 罗姆有隔离电源专用芯片
[问:] 对于家用户级BMS需要关注哪些方面?
[答:] 如多机并行,真么分主从(master, slave)? 如主的坏了,能自动由其他从机不上吗? 均流策略有很多。 主从式的均流会有这个问题。
[问:] 碳化硅器件的性能优势有哪些?
[答:] 高压、高频、高温条件 均表现优秀
[问:] 罗姆储能系统,可以适配什么类型的电池?
[答:] 电池没有特别要求
[问:] 罗姆方案的升压和降压效率分别是多少?
[答:] GaN可以98%以上
[问:] SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系是什么?
[答:] 驱动门槛电压以上 关系不强
[问:] 如何调整碳化硅 mosfet 驱动减少功率损耗
[答:] you may refer to the SIC mosfet datasheet, Id vs Vds curve, the driving voltage higher , the Vds is lower
[问:] 罗姆的提供电池充放电的方案吗?
[答:] 罗姆有 可以在官网上查找 或联系我们的营销网点
[问:] ESS储能整体架构储能转换效率能达到多少?
[答:] > 95 %
[问:] 储能ESS模块最大可以做到多少千瓦功率?
[答:] Usually the power module can be make up to 60kW, some of new design is going to 300kW per module.
[问:] ESS支持哪些类型的储能技术?
[答:] mainly battery typr energy storage solution
[问:] SiC碳化硅方案可以搭配哪些主系统芯片?
[答:] MCU or DSP control
[问:] 功率器件的日常维护有哪些注意事项?如何保证功率器件的性能一直稳定?
[答:] avoid dusting and water ingress, so to avoid sparking
[问:] 功率器件的日常维护有哪些注意事项?如何保证功率器件的性能一直稳定?
[答:] 需要保证功率器件的散热正常,保证其一直工作在正常温度
[问:] 高频是不是可以提供功率密度?
[答:] 是的,提高频率可以提高功率密度
[问:] 罗姆的功率电子和模拟技术在储能系统中的应用有哪些?
[答:] 主要大电流及其控制
[问:] 储能系统的安全性应该考虑哪些因素?
[答:] energy storage system complies with e.g . UL1741 standard
[问:] 罗姆主要为储能系统几个环节提供方案?
[答:] 至少3各环节可以
[问:] 氮化家相对于碳化硅来说,更多应用更高开关频率,体积小,耐温高吗?
[答:] 主要是高频 小体积
[问:] 一般采用电流传感器是否可以检测IGBT导通时的瞬态电流上升时间和峰值?
[答:] 这个比较难,但可以加保护电脑来做保护
[问:] 储能系统的通讯干扰如何解决呢?
[答:] use CAN
[问:] 储能系统的通讯干扰如何解决呢?
[答:] 一般用差分通信
[问:] 罗姆功率器件的性能和可靠性在实际使用中效果如何?
[答:] 高可靠性是罗姆的优势
[问:] GaN与Sic工作应用场景分别是什么?
[答:] SiC works more on industrial , EV charger, renewable energy power supply; GaN works more on adapters, telecom, server power supplies
[问:] GaN与Sic工作应用场景分别是什么?
[答:] GAN 650V 1MHZ ;SIC 1700V 300KHZ
[问:] 第4代SiC MOSFET的驱动电压范围多少?
[答:] -4V~+23V
[问:] 第4代SiC MOSFE传导损耗多少?
[答:] 同等晶圆尺寸的导通损耗大约是第3代的60%左右
[问:] 电流传感器怎么选型?余量留多少?
[答:] 余量建议50%
[问:] SiC功率器件是否也有哪些性能短板呢?
[答:] SiC short circuit current duration time is shorter than IGBT's ; but this could be solved by faster DSP protection processing
[问:] SiC功率器件产品有无功率极限?
[答:] 根据器件不同 极限不同
[问:] SiC功率器件产品有无功率极限?
[答:] 有的,每个器件都有它的极限
[问:] SiC功率器件的可靠性,是否有一些实验测试数据?
[答:] 有 很充分
[问:] GaN与Sic器件对比有什么不同?
[答:] GaN超高频,中等耐压和功率。
[问:] 碳化硅驱动选用有什么要注意的
[答:] 保护功能要注意
[问:] 碳化硅驱动选用有什么要注意的
[答:] 1) creepage and clearance 2) delay time 3) isolation voltage 4) lifetime
[问:] 功率器件的样本在哪下载
[答:] rohm.com
[问:] 变压器体积缩小,会影响功率变化吗?
[答:] 频率不变的情况下,变压器大小直接和功率有关。变压器大小不变,频率提高,也能提高功率
[问:] Si、SiC和GaN功率器件在储能系统中的主要优势有哪些?
[答:] GaN mainly works at PFC or more compact design at secondary side
[问:] Si、SiC和GaN功率器件在储能系统中的主要优势有哪些?
[答:] Si mosfets, for low voltage battery e.g. 48V, secondary side sync-rect;
[问:] Si、SiC和GaN功率器件在储能系统中的主要优势有哪些?
[答:] 主要在频段几点压断 选择
[问:] Si、SiC和GaN功率器件在储能系统中的主要优势有哪些?
[答:] SiC MOS at PFC or AC-DC as its working voltage is higher, can be used for single or three phase system
[问:] 氮化镓与硅功率器件在价格上的比较如何?
[答:] 氮化镓在价格上未来有很大空间
[问:] 如何设计运用到低温地方家电上。
[答:] 选择能在低温条件工作的器件,并考虑工作起来后的温度上升情况
[问:] 高精度运放的温飘为多少?
[答:] 温漂很小 官网上有记载
[问:] 请问是否有家庭储能方案?谢谢!
[答:] yes, please send the request to rad.li@arrow.com
[问:] 罗姆的仿真软件是哪种啊?怎么获得?是免费的还是收费?
[答:] 温度仿真 电路仿真 登录ROHM的官网即可使用
[问:] Ess系统的各种元件在实际应用中的各种损耗的多少和所能提供多大电容
[答:] please send the question to rad.li@arrow.com
[问:] 有车规级的物料吗
[答:]
[问:] GaN在功率密度上的优势能使得比较GaAs方案芯片体积缩小比到多少?
[答:] 目前GaN体积最小
[问:] 储能系统的发展方向是什么?
[答:] Energy storage trend is becoming essential as renewable energy portion is up
[问:] 储能系统的发展方向是什么?
[答:] for commercial, up to GW
[问:] 储能系统的发展方向是什么?
[答:] for residential, the trend is modular based e.g. 5kW, can be stackable to 10, 15kW..
[问:] 罗姆的储能系统解决方案主要针对哪些应用领域?
[答:] 各种电力应用都可以对应
[问:] 问ESS储能系统的设计为何不选用GaN而是选择 SiC MOSFET?
[答:] 现在开始氮化镓有开始进入小型储能
[问:] 问ESS储能系统的设计为何不选用GaN而是选择 SiC MOSFET?
[答:] Sic相对GaN更成熟,成本较低
[问:] 电流放大器的抗干扰性能如何?
[答:] ROHM的电流检测抗干扰
[问:] ESS方案在电源管理方面如何实现IC的节能?
[答:] 使用GaN
[问:] ESS方案在电源管理方面如何实现IC的节能?
[答:] we also use SiC mosfets to adapt to high DC bus for auxiliary power supply design, 1700V/ 1ohm SiC mos is common in solar inverter, for example
[问:] 完善的保护功能的安全可靠性如何?
[答:] 增加可靠性
[问:] Sic MOSFET的驱动电路如何实现?有什么解决方案?
[答:] 有专门的的解决对策,可以看ROHM官网应用笔记
[问:] Sic MOSFET的驱动电路如何实现?有什么解决方案?
[答:] you may contact rad.li@arrow.com to get the schematic
[问:] 罗姆有无车规级Sic MOSFET
[答:] 罗姆车规级很多
[问:] 罗姆有无车规级Sic MOSFET
[答:] 有,车规品在官网标注了Automotive
[问:] 碳化硅和氮化镓有什么不同应用场合
[答:] 5KW以上SiC
[问:] 碳化硅和氮化镓有什么不同应用场合
[答:] 目前3KW以下 GaN
[问:] 碳化硅和氮化镓有什么不同应用场合
[答:] 氮化家相对于碳化硅来说,更多应用更高开关频率,以及小功率场景
[问:] 碳化硅和氮化镓有什么不同应用场合
[答:] SiC mosfets are working in industrial power supplies, renewable energy ; GaN now works mainly in compact power supply e.g. adapter, server, telecom power supplies, OBC
[问:] 储能在中国是不是发展比较慢?罗姆的最在市场在哪里?
[答:] 储能市场 ROHM全覆盖
[问:] 储能在中国是不是发展比较慢?罗姆的最在市场在哪里?
[答:] 不是慢,是国内国外的发展方向差别
[问:] 罗姆的这些新型产品怎样聚力,来助力节能和小型化发展?
[答:] 减少器件功耗,更高的开关频率
[问:] ess解决方案的配套产品有哪些
[答:] BMS, current sharing system
  关于罗姆半导体  

罗姆(ROHM)是一家成立于1958年的半导体和电子元器件制造商。由起初的主要产品-电阻器的生产开始,历经60余年的发展,已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是:“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献”。截至2021年3月,集团销售额约为3598亿日元。其中,IC约占46.7%、分立半导体约占39.6%、模块产品约占8.1%,半导体相关产品占销售额的90%以上。集团员工总数约为22,370人,包括8家日本国内公司和33家海外公司。通过遍布全球的开发与销售网络,为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、光学元器件、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的电源领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括SiC功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。如欲进一步了解详情,请访问罗姆的官网:https://www.rohm.com.cn

  关于艾睿电子  
全球技术解决方案公司艾睿电子致力驱动创新,引领超过210,000家世界领先的科技制造商。艾睿专注发展可提升业务及生活质素的科技解决方案。公司2022年的销售收入达370亿美元。更多详情,请浏览www.arrow.cn

• 我同意接收艾睿电子以及罗姆半导体推送的专属优惠、产品资讯或技术资料等内容。

• 我已阅读艾睿电子"隐私政策"、罗姆半导体"隐私政策",同意将我提交的信息分享给艾睿电子和罗姆半导体,允许艾睿电子和罗姆半导体就未来的产品和服务与我进行商务接洽。