| [问:] |
碳化硅产品在工业大电流控制需要采用什么方式散热设计？ |
| [答:] |
可以考虑类似汽车的水冷技术 |
| [问:] |
对应用电压有什么要求 |
| [答:] |
1200V碳化硅主要支持800V系统，应用中不能超出额定电压 |
| [问:] |
SIC 、GaN器件是否有望还会有哪些更大更进一步的创新突破呢？ |
| [答:] |
我觉一定会，SIC 和GaN 的发展时间比较短，还有很多的未知等大家去开发发现。 |
| [问:] |
市场占有率如何？ |
| [答:] |
很多车型已经采用了我们的模块 |
| [问:] |
Sic器件的效率如何 ？ |
| [答:] |
目前SIC的效率明显高于其他技术 |
| [问:] |
Sic器件的效率如何 ？ |
| [答:] |
比传统的提高4%左右。 |
| [问:] |
SiC是趋势，长期稳定性、可靠性有相关证明吗？ |
| [答:] |
我们有数据支持，根据综合工况，可以计算寿命 |
| [问:] |
SiC是趋势，长期稳定性、可靠性有相关证明吗？ |
| [答:] |
这个我们有可靠性报告通过AQG324. |
| [问:] |
VE Trac解决方案采用碳化硅可以提升哪些性能？ |
| [答:] |
主要是效率方面的提升 |
| [问:] |
碳化硅功率模块的耐压比其它的高多少？ |
| [答:] |
目前最高1200V，IGBT也有这个等级的 |
| [问:] |
该产品兼容性如何？ |
| [答:] |
现在有部分厂家做和我们兼容的产品。 |
| [问:] |
SiC是否也还有哪些性能短板呢？ |
| [答:] |
门极耐压比较低，设计驱动时要考虑过冲电压的影响 |
| [问:] |
SiC是否也还有哪些性能短板呢？ |
| [答:] |
gate |
| [问:] |
请问相较于竞品的主要优势是什么？谢谢！ |
| [答:] |
晶元和封装的长期可靠性 |
| [问:] |
安森美SIC的封装领先凸显出了哪些特色？ |
| [答:] |
SIC 采用银烧结技术，降低热阻，提高可靠性。采用SSC 封装，减小自身的电感。 |
| [问:] |
安森美SIC 、GaN器件的封装是否也有哪些独特创新？ |
| [答:] |
我们的SIC 现有产品采用平面工艺，可靠性比较高。 |
| [问:] |
EV充电桩是否也有哪些特色创新元素？ |
| [答:] |
充电桩，我们有提供混合功率器件IGBT+SIC diode. |
| [问:] |
GaN器件常见的失效模式主要有哪些？ |
| [答:] |
我觉得主要是雪崩能量，门极电压。误导通。 |
| [问:] |
注重事项须有哪些？ |
| [答:] |
驱动电压，击穿电压和散热。短路保护时间。 |
| [问:] |
安森美现在货期如何？ |
| [答:] |
不同产品交期不同 |
| [问:] |
SIC匹配的电流传感器有什么要求？ |
| [答:] |
安森美不提供电流传感器产品，但是对于碳化硅应用，最好选择更高速的电流传感器 |
| [问:] |
SIC匹配的电流传感器有什么要求？ |
| [答:] |
输出电流传感器没有特别要求。 |
| [问:] |
碳化硅材料有什么优点？ |
| [答:] |
耐压更高，速度更快（寄生电容低），耐温度更高 |
| [问:] |
封装有哪些可供选择的？ |
| [答:] |
单管有TO247 和 D2PAK-7, 模块有SSDC和SSC可选 |
| [问:] |
封装有哪些可供选择的？ |
| [答:] |
当前现有产品二种：SSDC 和SSC. |
| [问:] |
碳化硅技术有哪些新的进展？ |
| [答:] |
未来会开发沟槽工艺，提高电流密度，降低成本。 |
| [问:] |
目前安森美的SIC支持最大的功率应用？ |
| [答:] |
可以并联，不并联可以支持250KW |
| [问:] |
安森美碳化硅(SiC)栅-源电压最大多少？ |
| [答:] |
-15V - +25V |
| [问:] |
安森美碳化硅(SiC)栅-源电压最大多少？ |
| [答:] |
可以做到正22负8V |
| [问:] |
碳化硅如何解决电容耦合和电磁干扰问题？ |
| [答:] |
主要减小整个回路电感。适当降低开关速度。 |
| [问:] |
碳化硅和氮化镓相比怎么样？ |
| [答:] |
这两种技术各有特点，目前碳化硅更适合高电压场合 |
| [问:] |
碳化硅和氮化镓相比怎么样？ |
| [答:] |
SIC 更适合高压，GaN 更适合低压应用 |
| [问:] |
安森美的逆变器的功耗可以达到多少？ |
| [答:] |
功率吧？ 如果不适用并联，可以达到250KW的功率输出 |
| [问:] |
碳化硅如何给市场带来新机会？ |
| [答:] |
提高整车效率，相同电池增加了续航。更节能更环保。 |
| [问:] |
如何控制SiC模块的寄生电感？ |
| [答:] |
安森美的塑封具有这方面优势，SIC模块寄生电感还是主要在于封装这里的优化 |
| [问:] |
如何控制SiC模块的寄生电感？ |
| [答:] |
主要减小功率回路的导线长度和连接阻抗。 |
| [问:] |
如何选择电动汽车电池?主要的依据是什么? |
| [答:] |
安森美不提供汽车电池产品 |
| [问:] |
可以提供哪些功率等级？ |
| [答:] |
碳化硅支持250KW应用，如果并联就更高 |
| [问:] |
SiC 应用于逆变压器与充电桩能提高多少效益？ |
| [答:] |
这是综合经营的问题 |
| [问:] |
对于家用电动汽车,哪种类型的电池更好或更有发展前途? |
| [答:] |
我们不提供电池产品 |
| [问:] |
对过热和过流保护的响应时间是多少？ |
| [答:] |
这是控制部分的电路的要求 |
| [问:] |
模块的额定电压和电流是多少？ |
| [答:] |
SSDC 900V/620A, SSC 1200V 400A |
| [问:] |
模块的额定电压和电流是多少？ |
| [答:] |
不同模块不一样，请官网下载数据手册查询 |
| [问:] |
难度难点还有哪些？ |
| [答:] |
什么方面的难点？ |
| [问:] |
碳化硅为什么适合更高的功率产品？ |
| [答:] |
因为碳化硅是支持高电压高频率场合，高电压更适合做高功率产品 |
| [问:] |
安森美碳化硅点池有几种规格？ |
| [答:] |
碳化硅不是电池技术 |
| [问:] |
与相同额定的IGBT模块比较有哪些优点？ |
| [答:] |
开关速度快，损耗小。半载效率高。SIC 导通是电阻。IGBT 导通是固定电压。总体效率比IGBT 高 |
| [问:] |
安森美的SIC方案有哪些优势？ |
| [答:] |
长期应用的可靠性，包括晶元和封装都有这方面优势。 |
| [问:] |
安森美的SiC功率模块有那些部分组成?能达到多大的功率和转换效率? |
| [答:] |
组成比较复杂，主要是晶元和封装。目前能做到250KW，并联支持更高功率 |
| [问:] |
请问碳化硅半导体与硅基半导体相比有哪些优势？ |
| [答:] |
更高的电压支持，更低的寄生参数，更高的耐温度特性 |
| [问:] |
SiC方案，除了在汽车领域的应用，在其它领域，如光伏，是否有应用，不同领域要求是否有各自特点？谢谢！ |
| [答:] |
光伏也是主力应用场合，另外在电源领域也有广泛应用 |
| [问:] |
碳化硅技术在汽车哪个部位用途最好？ |
| [答:] |
电驱和充电这里是主力应用 |
| [问:] |
安森美提供整个电源方案？ |
| [答:] |
安森美是电源这一块领先的供应商 |
| [问:] |
电压范围是多少？ |
| [答:] |
650V -1200V是目前主力产品，1700V刚刚开发出来。 |
| [问:] |
和IGBT相比,驱动SiC MOSFET有什么不同和难点? |
| [答:] |
效率提高。但是短路能力相对差，驱动设计难度大，干扰比较大。 |
| [问:] |
碳化硅功率器件需注意哪些参数？ |
| [答:] |
我觉得主要是驱动电压和门极振荡，短路保护，电压余量。散热。 |
| [问:] |
如何对每个逆变器相的高低边开关控制的？ |
| [答:] |
需要专用的驱动芯片。 |
| [问:] |
什么问题限制着碳化硅的发展？ |
| [答:] |
暂时主要是价格，衬底产能不足，生产周期比较长。 |
| [问:] |
都是新能源车的吗？ |
| [答:] |
使用大功率碳化硅器件肯定是有电驱动需求的新能源汽车了 |
| [问:] |
安森美的SiC方案 推出有多久了，量产化了么？ |
| [答:] |
已经非常成熟了，很多量产的车型都采用碳化硅技术了 |
| [问:] |
碳化硅是否也有哪些性能短板？ |
| [答:] |
总的优势大于短板。我认为短板：EMC 会差一点，短路时间相对差点。价格贵。 |
| [问:] |
碳化硅逆变器的能效比能获得几级？ |
| [答:] |
可以做到最好的水平，SIC本身就是高效率的解决方案 |
| [问:] |
主驱逆变器采用SiC 跟传统的硅相比有那些改进了？ |
| [答:] |
可以提高效率进而提高续航能力，可以支持更高电压进而支持更大功率 |
| [问:] |
产品有哪些型号 |
| [答:] |
型号比较多，可以去安森美官网去了解下 |
| [问:] |
安森美SIC如何实现更高的击穿电压？ |
| [答:] |
这个主要由SIC 材料决定的。 |
| [问:] |
请专家介绍900V碳化硅功率模块VE-Trac Direct SiC的主要性能.谢谢! |
| [答:] |
开关速度快，导通阻抗低，可以提高效率。 |
| [问:] |
安森美碳化硅应用在逆变器里pcb设计布局时应该注意哪些方面？ |
| [答:] |
gate对过电压比较敏感，所以驱动这里要注意速度和过冲的问题 |
| [问:] |
安森美碳化硅应用在逆变器里pcb设计布局时应该注意哪些方面？ |
| [答:] |
Gate |
| [问:] |
安森美碳化硅应用在逆变器里pcb设计布局时应该注意哪些方面？ |
| [答:] |
主要是驱动这一块的设计，因为SIC的工作频率较高，Gate |
| [问:] |
可以语音提问吗？ |
| [答:] |
不可以语音提问，请用文字提问，谢谢 ！ |
| [问:] |
SIC碳化硅管子，精度，寿命 多少 |
| [答:] |
精度是什么方面精度? 寿命这一块，我们有基于工况的计算工具 |
| [问:] |
可以提问吗？ |
| [答:] |
可以呀，您有什么问题可以提出，我们的专家会为 您解答 |
| [问:] |
碳化硅方案pwm频率最高多少 |
| [答:] |
目前SIC在汽车驱动的应用上频率在20K以内比较多，在车充上100-300K之间比较多。 |
| [问:] |
是否可以使用氮化镓呢 |
| [答:] |
应该也可以，但是氮化镓更适合低压应用。SIC 适用高压。 |
| [问:] |
SIC碳华硅MOS管，要满足那些汽车认证 |
| [答:] |
分立器件单管一般是AECQ认证，模块是AQG324 |
| [问:] |
安森美的碳化硅(SiC)技术 是应用在大功率的场景么？ |
| [答:] |
SIC技术更加使用于800V系统，能够提供更高的功率支持。 |
| [问:] |
安森美碳化硅(SiC)能提高多少效率？ |
| [答:] |
综合工况可以提高4-5%的效率。 |
| [问:] |
这个模块性价比是如何选择？ |
| [答:] |
安森美的解决方案是非常具有性价比的方案。 |
| [问:] |
与IGBT相比,碳化硅技术成熟度还需要作哪些工作? |
| [答:] |
目前SIC的方案已经比较成熟了，有不少量产车型了。 |
| [问:] |
安森美SiC解决方案突出的特色体现在哪些方面？ |
| [答:] |
安森美SIC突出特点，封装比较领先，保证设计的高效率和可靠性。另外，安森美垂直整合了产业链，对于供货的稳定性帮助很大。 |
| [问:] |
安森美SiC方案解决了汽车行业当前面临的哪些难点？ |
| [答:] |
安森美SIC解决方案，提供了更长续航的解决方案，同时高可靠性使得能够承诺更长的使用时间。 |
| [问:] |
安森美的碳化硅(SiC)技术 有何特点？ |
| [答:] |
晶圆这块，安森美注重长期应用的参数漂移这一块，因此支持更长期应用保持可靠性。封装这一块，塑封封装能保证低寄生电感，高可靠性，长期应用更加可靠。 |
| [问:] |
碳化硅技术的特点是？有哪些优势？ |
| [答:] |
碳化硅的技术主要是在高压应用，高频率应用，高温度应用方面有明显优势，因为其阻断电压高，寄生电容小，晶圆本身更加耐高温这些特点。 |
| [问:] |
安森美电池价格？ |
| [答:] |
安森美主要提供半导体器件，目前没有汽车电池产品提供。 |
| [问:] |
SiC方案的电压范围多少？ |
| [答:] |
目前SIC器件主要覆盖650V到1200V的范围，后面可能会出一些1700V的产品。 |
| [问:] |
为什么很多汽车召回都是主逆变器有问题？什么容易受到影响？ |
| [答:] |
汽车召回有很多原因，逆变器只是一种可能。因为逆变器是整个电路中功率最大的部分，因此确实更加容易出现问题，所以选择高可靠性器件，比如安森美的塑封封装更加能提高可靠性，体现碳化硅的价值。 |
| [问:] |
为什么很多汽车召回都是主逆变器有问题？什么容易受到影响？ |
| [答:] |
逆变器相当于汽车的心脏。主要动力来源。 |
| [问:] |
安森美相关的SiC方案有哪些技术优势？ |
| [答:] |
封装方面优势比较大，引线电感低更能发挥SIC的速度优势。封装的可靠性更高，更能支持长寿命。除了封装，安森美碳化硅的芯片可靠性更高，长期应用参数偏移更小，更加可靠。 |
| [问:] |
最大功率多少？有整套方案吗？--支持正弦波输出？ |
| [答:] |
取决于控制方式，SIC模块当然支持。 |
| [问:] |
安森美碳化硅(SiC)技术做哪些方面有新的突破？ |
| [答:] |
安森美碳化硅在封装方面有优势 引线电感低，可靠性高，寿命长 |
| [问:] |
碳化硅方案，在散热方面有哪些处理方式？ |
| [答:] |
其实SIC 本身导热性比硅好，而且耐高温，外部散热和传统的散热没有区别。 |
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