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传统硅材料在开关电源系统上已经发展了几十年，就目前来讲硅材料的发展空间很有限了，GaN材料在LED以及RF上面被世人了解，不过目前已经发展进入了功率器件的应用领域因为GaN适合高频高压的场合。作为下一代功率器件GaN HEMT已经做好了替代 Si MOSFET的一切准备，其强劲的性能主要表现在超好的技术参数RDSON,QG,QRR等一系列影响到功率器件性能的关键参数。GaN HEMT用在开关电源系统上面可以显著的提高系统的开关效率，在硬开关下面提高开关频率使得系统体积更小，从而更显著的提高其功率密度。Transphorm这家公司专注于GaN的研究已经接近十年，公司成立于美国的加州Goleta，员工超过130人，专利超过250个，而且是目前唯一一个通过JEDEC认证的GaN的企业，FUJITSU目前与Transphorm合作为客户提供GaN HEMT的技术支持及产品。
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孙国伟 FAE |
从事半导体行业多年，拥有丰富的行业技术经验，主要方向电源管理芯片及功率器件的应用。加入富士通半导体之后，从事电源管理芯片以及功率器件的技术支持工作。 |
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蔡振宇 高级产品工程师 |
现任富士通半导体（上海）有限公司市场部高级产品工程师，主要负责负责北亚地区新8FX系列芯片的定义与产品推广工作。从事单片机技术支持工作多年，有着丰富的产品专业经验。 |
| [问:] | 作为第三代半导体材料，GaN和SiC各自的优势是什么？ |
| [答:] | GaN和SiC更适合高温高压的场合，但是SiC价格更贵一般是GaN的3-5倍 |
| [问:] | 具体应用中是否还须有哪些特别要关注的关键性问题或要点? |
| [答:] | 具体应用中要把开关频率提高到原来的3倍左右这样GaN的有优势才能体现出来 |
| [问:] | 国内现在有生产SiC和GaN功率器件的公司吗？ |
| [答:] | 目前大概还没有 |
| [问:] | 690V的变频器还需要做3电平吗？ |
| [答:] | 目前GaN只能到600V DC最大直流电压 |
| [问:] | 和MOSFET相比，PCB有什么需要注意的地方吗？ |
| [答:] | 特别要注意的就是功率地和驱动信号地要分开，驱动回路短，驱动电路按照推荐的电路来实现问题就不好大 |
| [问:] | 有无高可靠性保障? |
| [答:] | 全球唯一一家过JEDEC认证的高压GaN的公司 |
| [问:] | 是否也有哪些不同的封装形式可供客户灵活选用? |
| [答:] | 有QFN5mmX5mm，6mmX6mm，TO220，TO247 |
| [问:] | 有哪些独特的创新优势？ |
| [答:] | GaN本身就是一个创新，高频高压特别的适合GaN的应用 |
| [问:] | 请问在电路简化方面有什么优势么 |
| [答:] | 如果用在开关电源上面的话，提高系统频率，电路中的电感和电容都会变小 |
| [问:] | 不知道氮化镓有没有体二极管一说呢？ |
| [答:] | GaN本身没有的，有的只是串联的那颗低压Si-Mosfet里有 |
| [问:] | 产品自身损耗功率？ |
| [答:] | 自身损耗比起Si-MOSFET来讲要小很多，包括了导通损耗以及开关损耗， |
| [问:] | 氮化镓的的抗雪崩能量的能力怎么样？和传统MOS相比？ |
| [答:] | 标称750V pulse电压持续方波，实际上1150V pulse电压下也不会失效 |
| [问:] | 氮化镓MOS的驱动和普通MOSFET相比较，驱动方式或者驱动线有没有特殊的要求呢？ |
| [答:] | 驱动相比传统驱动来讲，GaN的驱动更简单，驱动线路更短，驱动电阻可以省略用磁珠替代。 |
| [问:] | 是否有半桥或全桥封装? |
| [答:] | 您可以联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204 |
| [问:] | 是否有半桥或全桥封装? |
| [答:] | 有的 |
| [问:] | Fujitsu代理 Fujitsu半导体代理商 Fujitsu中国地区有哪些？ |
| [答:] | 详情您可以联系我们 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204 |
| [问:] | 有通过EN61000-3-2,-3认证的案例吗？ |
| [答:] | 具体详情 您可以致电我们 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204 |
| [问:] | 175度的测试环境能涵盖所有使用范围了吧，低温的情况如何呢？ |
| [答:] | 是的，低温可以到-55℃ |
| [问:] | 死区时间最小到多少？ |
| [答:] | 一般在Ton或者Toff的3-5倍 |
| [问:] | 耐压按照几倍选择? |
| [答:] | 举个例子，前级PFC 400V输出的电压就可以选用600V的GaN，其实和传统Si Mosfet一样在耐压的选取上 |
| [问:] | 氮化镓在开关速度上与传统MOS相比有绝对优势，但导通损耗和传统MOS相比如何呢？会不会用在开关电源上开关损耗小了，导通损耗又大了呢？反而成本还上升了？ |
| [答:] | 举个例子，37A电流TPH3205 导通内阻只有63mΩ。 |
| [问:] | 我要开发电池驱动产品，富士通半导体是否有适合低功耗和低成本应用的32位微控制器解决方案？ |
| [答:] | 我们有类似配套解决方案，您可以联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204 |
| [问:] | 谁了解180度直流变频控制电路的？ |
| [答:] | 您可以联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204 |
| [问:] | 京崎是富士通下的子公司吗?? |
| [答:] | 可以详细联系我们富士通官方网站！ |
| [问:] | 请问可以申请免费样片吗? |
| [答:] | 关于样品申请，请联系我们，富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 |
| [问:] | 可以直接用到380V电网,整流的直流电力电源,?耐压够吗 |
| [答:] | 不够的 |
| [问:] | 亲，你好，求助哦，富士通的能量采集电源管理芯片，怎样获得他的芯片具体型号呢 |
| [答:] | 请联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204 |
| [问:] | 富士通采用无边设计的笔记本有几款 |
| [答:] | 请联系富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204 |
| [问:] | 富士通在中国现在的发展状况如何？ |
| [答:] | 非常好！谢谢！ |
| [问:] | 氮化镓的封装为什么不能和传统MOS的引脚统一呢？技术上有什么问题？这样传统的产品还不能直接替代？ |
| [答:] | HEMT器件是新一代的材料做成的，有更合适的脚位匹配，下一代功率器件都是这种脚位 |
| [问:] | 工作温度多少？环境温度零下15度能储存和使用吗？ |
| [答:] | -55到175结温 |
| [问:] | 富士通中国的总裁是谁呀？ |
| [答:] | 请联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204 |
| [问:] | 富士通的全称 |
| [答:] | 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 |
| [问:] | 氮化镓的抗静电能力如何？与传统的MOS相比？ |
| [答:] | GAN 有更强的抗静电能力 |
| [问:] | GaN的价格和SIC比有优势吗？ |
| [答:] | 价格是SIC的二分之一到三分之一 |
| [问:] | 富士通半导体有没有16位微控制器用于汽车应用啊？ |
| [答:] | 我们已经将此部门卖给了CYPRESS |
| [问:] | 现在，“节能/智能”化趋势十分看好，富士通半导体有没有适合这方面应用的家电设计方案， |
| [答:] | 有的 |
| [问:] | 需要单独配置散热器铝片？ |
| [答:] | 要的 |
| [问:] | GaN HEMT的电流范围是多少? |
| [答:] | 目前最大到37A @25℃ |
| [问:] | 目前富士通产品有那些,详细说明,同时介绍富士通公司在目前中国的情况 |
| [答:] | 请看我们的公司网址，上面有具体介绍。http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/ |
| [问:] | 氮化镓的抗静电能力如何？与传统的MOS相比？ |
| [答:] | GAN比传统MOSFET抗静电具有更高的优势和抗静电能力，如需样品请联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204 |
| [问:] | MFET器件比同规格的MOSFET更小，损耗更低，可以这么理解吗？ |
| [答:] | 可以， |
| [问:] | 有获得专利的技术吗? |
| [答:] | 有专利250多项 |
| [问:] | 富士通全是日本原厂吗 |
| [答:] | 是的 |
| [问:] | 谁知道什么是OMNIVIEW技术？富士通半导体有采用这 |
| [答:] | OMNIVIEW就是我们通常所说的全景技术，可以应用领域于停车和主动安全 |
| [问:] | 请问有没有BLDC驱动的推荐MOS。或者有DEMO板 |
| [答:] | 有 请联系我们 |
| [问:] | 请问有没有BLDC驱动的推荐MOS。或者有DEMO板 |
| [答:] | 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204 |
| [问:] | 我有个项目需要高压高速的管子，你们最高电压的是多少伏？有2500V等级甚至更高的吗？ |
| [答:] | 最高到600V，脉冲750V |
| [问:] | 富士通在上海具体什么位置 |
| [答:] | 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 |
| [问:] | 性价比怎样 |
| [答:] | 单比成本的话，比传统的MOSFET要高。可是按照应用来说，GAN可以省掉很多的周边回路，整体成本差不多。 |
| [问:] | 富士通品牌的微控制器在业界口碑如何？可否介绍一下公司以及产品的情况。 |
| [答:] | 请直接联系我们 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | 富士通代理 富士通半导体代理 富士通中国代理有哪些？ |
| [答:] | 请直接联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | transphorm中国区授权总代理是哪家 |
| [答:] | 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 |
| [问:] | GaN HEMT只能用在开关电源上吗? |
| [答:] | 也可以用在功率放大器上 |
| [问:] | SiC和GaN，新兴功率器件如何选？ |
| [答:] | GAN比SIC是更新一代的材料 |
| [问:] | 有无配套的栅级驱动器？ |
| [答:] | 有， 可以具体联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | 相对于传统材料，性能能提升多少？ |
| [答:] | 目前知名电源厂商使用在钛金牌电源上！ |
| [问:] | GaN HEMT用在开关电源系统使用比MOSFET的效率提高多少? |
| [答:] | MOSFET的效率开关损耗很大，而GAN基本没有开关损耗。具体的效率提升要看具体的设计和负载情况 |
| [问:] | 为什么弯角会影响开关频率? |
| [答:] | 不会影响开关频率，因为弯脚会寄生一些电感和电容，所以在高速的开关频率下有可能会造成器件的实效 |
| [问:] | 请问有没有成熟稳定的应用案例，成熟期2，3年以上的应用 |
| [答:] | 我们目前有成熟套件 您可以联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | Transphorm GaN HEMT功率器件的散热及封装怎么样 |
| [答:] | 散热很好，封装有QFN, TO220和TO247 |
| [问:] | 我们一直采用富士的IGBT，请问贵司的产品能替代IGBT的功能吗？ |
| [答:] | 可以 具体您可以联系富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | transphorm批发哪家好 |
| [答:] | 请联系富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | 有没有1200V的 |
| [答:] | 目前还没有 预计2016年会有样品出来 |
| [问:] | HEMT器件封装都兼容常规器件吗? |
| [答:] | HEMT Pin 脚不兼容MOSFET，作为下一代功率器件HEMT的pin脚都是这样定义 |
| [问:] | 开关速度达到什么水平? |
| [答:] | 10M以上 |
| [问:] | 有功能模块吗？ |
| [答:] | 有模块 |
| [问:] | 大功率开关电源软开关有设计电路参考? |
| [答:] | 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | 有没有测试损耗的方法,仿真方案等提供? |
| [答:] | 具体您可以联系我们官方网站 申请相关样品及套件：富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | 氮化镓优势固然不少,但成本会有多少提高呢? |
| [答:] | 整个的BOM 成本将会有所下降，因为开关频率的提高电感体积缩小，电容容值有所下降！ |
| [问:] | 最高电压多少？ |
| [答:] | DC 600V，pulse 750V |
| [问:] | 氮化镓开关工作功率可以到多少？ |
| [答:] | 理论上可以到10M |
| [问:] | 300M以上频率的 |
| [答:] | 详细资料可以问询我们！富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | 有没有应用到高频的功率放大芯片 |
| [答:] | 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | 有没有应用到高频的功率放大芯片 |
| [答:] | 有的，具体您可以联系我们！ |
| [问:] | 这个在智能家居里有应用吗 |
| [答:] | 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 |
| [问:] | 这个在智能家居里有应用吗 |
| [答:] | 您可以联系我们 |
| [问:] | 这个在智能家居里有应用吗 |
| [答:] | 高效率和高密度的开关电源在智能家居上面也是有优势的 |
| [问:] | 2V门限可以用在3.3V系统吗? |
| [答:] | 一般的门极驱动电压10V左右，门极的极限是+/-18V |
| [问:] | 高频MOS管有没有 |
| [答:] | GAN本身就是高频功率器件 |
| [问:] | 和IGBT比反应速度如何 |
| [答:] | 和IGBT比差不多得快10倍的速率 |
| [问:] | GaN HEMT目前性价比还有待提高吧？ |
| [答:] | 是的 |
富士通电子元器件（上海）有限公司(FES)是富士通在中国的半导体业务总部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大连等地均设有分公司，负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。
富士通电子元器件（上海）有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服务，专用标准产品（ASSPs），铁电随机存储器，继电器和GaN（氮化镓）等，它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。
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