| [ 最近 10
条问答 ] [ 全部发言 ] |
| [问：skyok123] |
X射线对FBGA有没有干扰的影响？ |
| [答：] |
有的，它可以产生电离性中子而导致SEU |
[1900-1-1] |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位网友大家上午好，欢迎参加中电网在线座谈，今天我们邀请到Microsemi公司的专家，与大家共同探讨“辐射对FPGA应用的影响及其解决方案”，欢迎大家踊跃提问！ |
[2011-11-9 10:09:58] |
| [主持人：ChinaECNet] |
今天的座谈我们依然为大家准备了电子购物卡等礼品，所有提问的网友都有机会获得，一共有5名幸运网友将会获奖。 |
[2011-11-9 10:11:00] |
| [主持人：ChinaECNet] |
现在我们已经进入问答阶段，如果您想重复观看刚才的演示，请点击页面上方的“在线演示”。 |
[2011-11-9 10:11:45] |
| [问：manmenghua] |
老师您好，请问FPGA产品出厂之前，通常进行辐照效应试验吗？ |
| [答：alberttai] |
抗辐射系列的是会的 |
[2011-11-9 10:29:24] |
| [问：guhbing] |
Microsemi在设计FPGA时如何解决SEL问题?有那些措施? |
| [答：alberttai] |
在工艺上解决，具体比较复杂，不好在这里说明 |
[2011-11-9 10:31:24] |
| [问：hjb85] |
FPGA的抗辐射能力和那些因素? |
| [答：alberttai] |
与基本架構及工艺有关 |
[2011-11-9 10:32:17] |
| [问：lid1118] |
AntiFuse类FPGA和SRAM类FPGA的抗辐射加固技术是否相同?为什么? |
| [答：mikewang] |
不相同， Antifuse 工艺技术决定了是本身抗辐射。 而SRAM需要很多的冗余技术！而且效果并不是很好（相比Antifuse) |
[2011-11-9 10:33:13] |
| [问：cchanggg] |
中子对FPGA的影响是永久性还是暂时性的? |
| [答：alberttai] |
大部分是暂时的但遇到SEL的话可以造成永久损坏 |
[2011-11-9 10:33:52] |
| [问：lion9891] |
辐射在照明行业中，一般情况工作频率只有几十K最多到几百K，需要做测试吗？ |
| [答：alberttai] |
与频率无关，立要看可靠性及安全性需求 |
[2011-11-9 10:35:11] |
| [问：imcq] |
FPGA应用在强辐射情况下有那些因素对其影响较大，请解答，谢谢。 |
| [答：alberttai] |
主要看应用及FPGA种类 |
[2011-11-9 10:36:21] |
| [问：johnrita] |
航空FPGA设计，除了反熔丝技术，三模冗余技术，还有更好的办法吗，贵公司工艺上又有什么先进之处？ |
| [答：alberttai] |
Flash FPGA 也可以，大部分Microsemi的抗辐射FPGA除工艺本身以外在片上已包含三模冗余 |
[2011-11-9 10:38:52] |
| [问：sungb] |
如何申请听众或用户的免费试用品？ |
| [答：mikewang] |
联系我们代理：周立功， Lacewood等 |
[2011-11-9 10:39:20] |
| [问：hjb85] |
那种类型的FPGA对中子的抗辐射能力较强? |
| [答：alberttai] |
反熔系列 |
[2011-11-9 10:39:43] |
| [问：cchanggg] |
在FPGA应用中,如何降低单粒子效应对FPGA性能的影响? |
| [答：alberttai] |
选用合适的抗辐射FPGA |
[2011-11-9 10:40:36] |
| [问：guhbing] |
和FPGA相比,ASIC的抗辐射能力是否更好? |
| [答：alberttai] |
不是的，这是普遍的误解，主要看工艺 |
[2011-11-9 10:41:50] |
| [问：sungb] |
演讲的内容和方式也非常好，谢谢嘉宾和主持人。 |
| [答：regineliu] |
謝謝您的熱情的支持 |
[2011-11-9 10:41:55] |
| [问：stclq] |
抗辐射系列是否只有ACTEL公司的产品才有？ |
| [答：mikewang] |
不， 但Actel 最领先的技术， 经过了无数的航天， 医疗行业验证。 |
[2011-11-9 10:42:17] |
| [问：lid1118] |
请问专家,Microsemi的AntiFuse类FPGA在生产工艺上采用了那些抗辐射加固技术？ |
| [答：alberttai] |
AntiFuse本身抗辐射 |
[2011-11-9 10:42:35] |
| [问：zzy-1989] |
请问戴老师，反熔丝与FLASH的FPGA在耐辐照方面有什么不同？ |
| [答：alberttai] |
反熔丝的性能比Flash的好一些，特别在太空的应用 |
[2011-11-9 10:44:09] |
| [问：lruny] |
影响FPGA辐射敏感度的因素是什么？ |
| [答：mikewang] |
门极阈值电量 |
[2011-11-9 10:45:25] |
| [问：wdyjz] |
一般情况下，大功率电机运行中产生的电源干扰，数据采集卡或者示波器采集的信号往往发生很大的失真和高频谐波干扰，这种干扰对FPGA的影响如何？ |
| [答：alberttai] |
这种属於EMI/EMC的干擾，与辐射不一样，但有时候有相同影响 |
[2011-11-9 10:45:58] |
| [问：lingf] |
是不是只有反熔丝系列的才能抗辐射？ |
| [答：mikewang] |
Flash FPGA (Actel) 也抗辐射 |
[2011-11-9 10:46:09] |
| [问：lruny] |
目前FPGA的工艺水平如何提升？ |
| [答：mikewang] |
主要是工艺节点的提升。 |
[2011-11-9 10:47:16] |
| [问：bear19] |
A3P250这款芯片我知道内部能继承ARM7TDMI的软核，但是，我不知道这款芯片如果和Altera的CYCLONE相比较，应该属于那个级别的？ |
| [答：alberttai] |
A3P250的功耗较底可靠性更高 |
[2011-11-9 10:47:24] |
| [问：zhc7302] |
辐射的最终表现形式是什么样的？瞬间的脉冲电流？ |
| [答：mikewang] |
是 |
[2011-11-9 10:47:43] |
| [问：孟宪元] |
是否用Flash作为配置器件,就可以克服所谓的固体错误. |
| [答：alberttai] |
是的 |
[2011-11-9 10:47:45] |
| [问：ranen] |
你们的FPGA和actel和塞灵的同等的价格怎么样？ |
| [答：alberttai] |
有竞争力 |
[2011-11-9 10:48:03] |
| [问：bear19] |
请问，贵公司的SMARTFusion这款产品除了可以进行软核集成和FPGA的编程外，是不是说还可以集成一些如：比较器，ADC，DAC，等模拟模块啊？ |
| [答：alberttai] |
是的 |
[2011-11-9 10:48:23] |
| [问：lruny] |
高密度FPGA抗总剂量效应能力是否在不断增强？？？ |
| [答：mikewang] |
由于工艺进步，实际上抗辐射能力是减弱的。 |
[2011-11-9 10:49:22] |
| [问：wdyjz] |
FPGA在地面上会受到中子辐射？它的固件受到破坏是怎么回事？ |
| [答：alberttai] |
请参考Presentation内容 |
[2011-11-9 10:49:33] |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位网友，今天的座谈我们依然为大家准备了电子购物卡等礼品，所有提问的网友都有机会获得，一共有5名幸运网友将会获奖。 |
[2011-11-9 10:50:19] |
| [问：dongguanze] |
请教老师，3-10MHz的伺服电子的辐射干扰，有无好的解决方案？ |
| [答：mikewang] |
若可能降低开关转换速度， |
[2011-11-9 10:50:58] |
| [问：huangfeihong88] |
我现在在做一个接收机，发现射频前端的辐射老是影响基带处的FPGA工作，这个怎么解决呢！谢谢！ |
| [答：alberttai] |
这应该是干擾问题，PCB设计应注意屏蔽 |
[2011-11-9 10:51:06] |
| [问：lruny] |
FPGA的可编程i/o受到辐射粒子的影响会产生什么问题？ |
| [答：alberttai] |
後果可以非常严重，可以造成IO冲突而导致物理损坏 |
[2011-11-9 10:52:32] |
| [问：stclq] |
抗辐射主要应用在哪些场合？ |
| [答：alberttai] |
请参考Presentation内容 |
[2011-11-9 10:53:23] |
| [问：gaojun21cn] |
目前有公司研发的FPGA已经让器件更快地或在更高的温度下运作，甚至涉及到适合小批量航天应用，那贵公司可有这方面的发展意向？ |
| [答：alberttai] |
我们在这个领域一直处於领导地位 |
[2011-11-9 10:54:49] |
| [问：bowei181] |
中子和阿尔法粒子那个影响更严重？ |
| [答：alberttai] |
中子更严重，因影响的距離较远而且时间更长 |
[2011-11-9 10:56:09] |
| [问：liang-1011] |
抗辐射的FPGA有什么种类？ |
| [答：alberttai] |
请参考Presentation内容 |
[2011-11-9 10:56:42] |
| [问：bowei181] |
FlashFPGA是如何抗辐射的？ |
| [答：mikewang] |
由于门极浮栅工艺， 它本身需要很多电荷才能引起状态变化。 |
[2011-11-9 10:57:01] |
| [问：ranen] |
你们提供ASIC吗？ |
| [答：alberttai] |
不提供 |
[2011-11-9 10:57:03] |
| [问：zendy] |
辐射对FPGA的影响和温度，湿度有关吗？ |
| [答：alberttai] |
没有 |
[2011-11-9 10:57:29] |
| [问：hongpanfeng] |
工艺点的提升主要在哪些方面？ |
| [答：alberttai] |
容量、速度 |
[2011-11-9 10:58:20] |
| [问：ranen] |
怎样试用你们的产品？ |
| [答：mikewang] |
联系我们的代理， ZLG， AVNET等，你可从我们网站www.actel.com 得到更多联系方式 |
[2011-11-9 10:58:36] |
| [问：sdhdshang] |
反熔丝的性能一定比Flash好吗？ |
| [答：alberttai] |
一般而言是的。 |
[2011-11-9 10:58:57] |
| [问：sdhdshang] |
FlashFPGA(Actel)抗辐射性能如何？ |
| [答：mikewang] |
在测试中，未发现SEU事件， 见演讲内容 |
[2011-11-9 11:00:04] |
| [问：ccyky] |
有相应电磁兼容计算软件吗？ |
| [答：mikewang] |
Actel无 |
[2011-11-9 11:01:05] |
| [问：zzy-1989] |
AntiFuse的FPGA中提到的等效门数与Xilinx的CLB数是怎样的对应关系？感觉AntiFUSE的FPGA门数不够用 |
| [答：alberttai] |
一般一个LE/CLB等於2个AntiFuse门，但是AntiFuse利用率比SRAM FPGA高很多，不能只看门数 |
[2011-11-9 11:01:34] |
| [问：hjb85] |
设计FPGA的PCB时,采用那些措施可提高抗辐射能力? |
| [答：mikewang] |
使用屏蔽， 但对中子辐射作用有限，最好的办法是选用抗辐射器件 |
[2011-11-9 11:02:45] |
| [问：guhbing] |
AntiFuse类FPGA和SRAM类FPGA相比,是否是抗辐射能力更强?为什么? |
| [答：alberttai] |
是的，原因请参孝Presentation内窖 |
[2011-11-9 11:02:47] |
| [问：tengzhihua] |
我觉得辐射不仅对FPGA会有影响对其他芯片都会有使之失效的可能 |
| [答：alberttai] |
对的 |
[2011-11-9 11:03:15] |
| [问：lid1118] |
请问专家，Microsemi有那些ＦＰＧＡ可应用在空间系统设备中？ |
| [答：mikewang] |
Antifuse , RT_A3P .. |
[2011-11-9 11:03:26] |
| [问：wjbwy] |
Microsemi的FPGA产品都有哪些? |
| [答：mikewang] |
Antifuse, Flash FPGA 或： RTAX, A3P， Fusion， SmartFusion |
[2011-11-9 11:04:38] |
| [问：siceng] |
请问高能粒子造成的FPGA故障如何用仪器测量，并做出量化分析？ |
| [答：alberttai] |
主要表现在功能失效，用一个简单的设计可以测量错误率 |
[2011-11-9 11:05:02] |
| [问：liguang169] |
反熔丝编程需要的能量和快闪开关编程需要的容量具体有多大？ |
| [答：mikewang] |
只能用Actel提供的专用编程器 |
[2011-11-9 11:05:34] |
| [问：dwwzl] |
物理屏蔽可以阻挡辐射粒子吗？ |
| [答：alberttai] |
可以，但是需要厚度大高！重量及体积成本大了！ |
[2011-11-9 11:07:08] |
| [问：lruny] |
电子系统在辐射环境下工作的时候，到一定总剂量的时候这个电子系统就会失效是吗？ |
| [答：mikewang] |
实际是一种统计， 到该剂量时电子系统很可能会功能丧失。 |
[2011-11-9 11:07:15] |
| [问：lid1118] |
AntiFuse类FPGA在电路设计中的抗辐射加固技术有那些? |
| [答：alberttai] |
请参考Presentation内容 |
[2011-11-9 11:08:07] |
| [问：btgy4008] |
由于辐射造成FPGA器件或者数据错误的几率有多大？ |
| [答：mikewang] |
不同工艺有不同的几率， 看演讲内容， 里边有的 |
[2011-11-9 11:08:27] |
| [问：siceng] |
如何判断这些故障来自何种干扰？这样的判断是否准确？ |
| [答：mikewang] |
只能用专门的测试系统验证 |
[2011-11-9 11:09:25] |
| [问：guhbing] |
判定SEL是否有相应的标准?在空间应用要达到多高的标准? |
| [答：alberttai] |
有一个叫Failure in Time (FIT)的测量单位来量化SEL导致的功能失效 |
[2011-11-9 11:10:03] |
| [问：cchanggg] |
如何对单粒子效应进行评估? |
| [答：mikewang] |
在业界是用一亿小时， 百万门的电路SEU发生数目来评估 |
[2011-11-9 11:10:57] |
| [问：ranen] |
电路板被屏蔽了还会受到辐射吗？ |
| [答：alberttai] |
中子的穿透力很强，PCB屏蔽不了的 |
[2011-11-9 11:10:59] |
| [问：magang2008] |
在核电厂应用环境中，有没有相应的应用经验或数据标准？ |
| [答：alberttai] |
在国外有的。 |
[2011-11-9 11:11:31] |
| [问：rzy] |
很有意义的内容，谢谢专家！请教一个问题，是不是其他的通用MCU容易受到强辐射的影响？Flash工艺和OTP工艺的影响会一样吗？ |
| [答：mikewang] |
OTP , Flash 都具有抗辐射能力。 |
[2011-11-9 11:12:08] |
| [问：dongguanze] |
请教老师：磁环，磁珠对于辐射的滤波到底有多大帮助呢？如果是3-10M的辐射干扰，我应该怎样选型磁环磁珠，对输入的信号进行滤波？ |
| [答：alberttai] |
没有用的，只能对电磁波干擾有作用，对高能粒子无能为力 |
[2011-11-9 11:13:45] |
| [问：zzy-1989] |
反熔丝FPGA器件现在的规模与速度能到什么程度？ |
| [答：mikewang] |
百万门以上 |
[2011-11-9 11:14:06] |
| [问：dongguanze] |
我之前用9112,7200运动控制卡，现在想用FPGA做一张卡，主要是IO控制和伺服的位置控制，还有20位的计数，请教老师，在应该设计时有什么需要注意的地方，尤其是如何尽可能的避免掉辐射干扰与传导干扰，谢谢！ |
| [答：alberttai] |
要避免掉辐射干扰只能选耐辐射(非电磁波干擾类)的FPGA |
[2011-11-9 11:15:31] |
| [问：skyok123] |
FBGA靠金属屏蔽起来能不能阻挡射线的干扰？ |
| [答：alberttai] |
Alpha粒子或許可以。但中子则没有意义 |
[2011-11-9 11:16:51] |
| [问：孟宪元] |
SRAMFPGA用flash做配置存储器,是否可以解决重新配置时受中子冲击的问题? |
| [答：alberttai] |
这样就已经是Flash FPGA了... |
[2011-11-9 11:17:37] |
| [问：ranen] |
cpld会受到中子的影响吗？ |
| [答：alberttai] |
也会的 |
[2011-11-9 11:17:52] |
| [问：liang-1011] |
FPGA如何避免辐射对其影响？ |
| [答：alberttai] |
只能选耐辐射的种类 |
[2011-11-9 11:19:05] |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位网友，今天的座谈我们依然为大家准备了电子购物卡等礼品，所有提问的网友都有机会获得，一共有5名幸运网友将会获奖。欢迎大家踊跃提问！ |
[2011-11-9 11:19:09] |
| [问：btgy4008] |
非易失性FPGA和反熔丝FPGA器件哪种器件更具有抗辐射能力？ |
| [答：mikewang] |
反熔丝从原理上更好， 在测试中两个都未发现失败现象 |
[2011-11-9 11:19:38] |
| [问：ranen] |
什么工艺的产品抗辐射能力要好? |
| [答：alberttai] |
反熔丝的跟Flash的都可以 |
[2011-11-9 11:19:38] |
| [问：sungb] |
有什么需要特别注意的？ |
| [答：mikewang] |
使用与普通FPGA一样，无特别的 |
[2011-11-9 11:20:47] |
| [问：ranen] |
你们公司产品的价格怎么样？ |
| [答：mikewang] |
与其他公司同类产品相比， 价格相当 |
[2011-11-9 11:21:36] |
| [问：ranen] |
你们和ACTEL公司是什么关系？ |
| [答：alberttai] |
Actel 现在是 Microsemi 的其中一个部门 |
[2011-11-9 11:21:54] |
| [问：liang-1011] |
怎么样测试对FPGA的辐射？ |
| [答：mikewang] |
演讲中提到了一个公司的报告和测试条件， 请查看，也可以下载推荐的技术白皮书 |
[2011-11-9 11:22:53] |
| [问：lingf] |
演讲资料可以下载吗？ |
| [答：regineliu] |
在相關鏈接有講演的文擋,以及產品的資料和相關文件可供下載 |
[2011-11-9 11:23:45] |
| [问：ranen] |
对辐射有没有影响，有测试标准和测试手段吗 |
| [答：mikewang] |
查看演讲中提到的做SEU测试的内容 |
[2011-11-9 11:24:01] |
| [问：rzy] |
采用屏蔽罩的措施是否性价比更高呢？ |
| [答：alberttai] |
要看那一种应用，但大部分都因为需要太多空间、重量及且体积太大而变得没有意义 |
[2011-11-9 11:25:21] |
| [问：hongpanfeng] |
为什么越先进的工艺通常故障率越高呢，安道理应该越低才对啊？不解 |
| [答：alberttai] |
Presentation 内已解释 |
[2011-11-9 11:26:31] |
| [问：dongguanze] |
请教老师，3-10MHz的伺服电子的辐射干扰，有无好的解决方案？[答:MikeWang]若可能降低开关转换速度--有个笔误，是伺服电机，它是干扰源。另外被干扰的是一个2KHz左右的5v信号，老师的意思是要我降低这个5V信号的频率吗，这个是不能降低的啊，工作要求！ |
| [答：mikewang] |
若是电机， 注意PCB屏蔽和电机隔离，信号隔离，环路感抗等。 |
[2011-11-9 11:27:05] |
| [问：btgy4008] |
反熔丝FPGA存在涌流问题吗？ |
| [答：alberttai] |
不存在，因为不需要上电配置 |
[2011-11-9 11:28:11] |
| [问：btgy4008] |
软错误和固件错误哪一方面对FPGA器件的一些较大？ |
| [答：mikewang] |
固件错误是不允许的， 因为它改变了器件的功能。 |
[2011-11-9 11:28:49] |
| [问：孟宪元] |
您回答:"SRAMFPGA用flash做配置存储器,就是FlashFPGA",难道逻辑单元还是SRAM的? |
| [答：alberttai] |
所有 FPGA 的逻辑单元都靠配置单元控制其功的，SRAM FPGA 的配置单元是SRAM，Flash FPGA 的配置单元是Flash。用了Flash配置的话不就变为Flash FPGA吗 |
[2011-11-9 11:31:48] |
| [问：rzy] |
对于已经在使用中的非耐辐射型的FPGA，如何减少辐射的影响？有何建议不？ |
| [答：mikewang] |
使用电路冗余，相当于多备份，灵活切换。但这很复杂， 关系到检测， 判决，切换等。功能受到影响是不可避免的。就实际来说， 能否实施还很难说。 |
[2011-11-9 11:32:26] |
| [问：wyxhehe] |
高温或者低温对你们的FPGA的容错能力有影响吗？ |
| [答：mikewang] |
在测试中， 高温低温未发现异常。但注意器件的工作环境要求。 |
[2011-11-9 11:34:23] |
| [问：ranen] |
辐射对除FPGA以外其他的IC是不是也有影响，还是只对FPGA有影响，还是对FPGA影响比较大呢？ |
| [答：alberttai] |
是的对其他的IC一样有影响，但FPGA的工艺一般是最先进的，正如我的presentation内容所说的影响也越大 |
[2011-11-9 11:34:27] |
| [问：btgy4008] |
辐射效应中最主要的是SEU方式吗？ |
| [答：alberttai] |
也有SEL等等，请参考presentation内容，其中以SEU比较麻烦，客户端一般遇到的都与SEU有关 |
[2011-11-9 11:37:05] |
| [问：lingf] |
反熔丝系列是否一次性的？ |
| [答：mikewang] |
只允许编程一次！ |
[2011-11-9 11:37:25] |
| [问：liguang169] |
快闪开关编程是采用板外编程吗？ |
| [答：mikewang] |
JTAG 编程.编程好后， 不需要上电再编程 |
[2011-11-9 11:39:14] |
| [问：bear19] |
请教一个问题，SmartFusion现在可以运行ucLinux? |
| [答：mikewang] |
可以， 但需要扩展排外SRAM。 |
[2011-11-9 11:40:00] |
| [问：ranen] |
在那些场合应用辐射影响较严重？ |
| [答：mikewang] |
太空， 医疗设备， 军工设备 |
[2011-11-9 11:41:03] |
| [问：lruny] |
我们电子系统每年接受到的辐射剂量大概多少？ |
| [答：alberttai] |
不能这样算的，要看的因素很多，例如是那一种电子元件，用量和密度是多少，所在地区的高度，太阳活跃度等等 |
[2011-11-9 11:41:09] |
| [问：孟宪元] |
SRANFPGA用外置的flash做配置存储器,能解决重新配置时,受冲击吗? |
| [答：mikewang] |
不能， |
[2011-11-9 11:41:59] |
| [问：ezcui] |
反熔丝系列是否不允许反复编程？ |
| [答：mikewang] |
是的 ， 你可以选用Flash系列， 有同样的抗辐射， 又可重复编程 |
[2011-11-9 11:42:59] |
| [问：neo_bright] |
三重冗余可以修复大面积的软错误么？ |
| [答：alberttai] |
只能修正单一位元的错误，但辐射引起的错误也大多只为一位 |
[2011-11-9 11:43:20] |
| [问：liang-1011] |
贵公司的FPGA具有什么优势？ |
| [答：mikewang] |
低功耗， 单芯片， 高可靠！ |
[2011-11-9 11:44:27] |
| [问：dongguanze] |
没有用的，只能对电磁波干擾有作用，对高能粒子无能为力-------请教老师，一般的CNC运行的工厂环境，是不是很少有高能离子啊？ |
| [答：alberttai] |
要看所在地区的高度，当时太阳的活跃度等 |
[2011-11-9 11:44:30] |
| [问：cchanggg] |
请问专家,在FPGA电路级设计中,有那些可用的抗辐射加固技术? |
| [答：alberttai] |
电路级设计并没有有效的抗辐射技术 |
[2011-11-9 11:45:53] |
| [问：xxh722] |
FPGA在高校研究生中的热度越来越高，可是较高的购置费用，可否会有对高校的一些倾斜，谢谢 |
| [答：mikewang] |
99RMB , 高吗？ZLG 有 |
[2011-11-9 11:46:44] |
| [问：liguang169] |
反熔丝和快闪一般都应用于哪些产品领域？ |
| [答：alberttai] |
每一领域都有用到的 |
[2011-11-9 11:47:11] |
| [问：dongguanze] |
请教：FPGA在进行硬件设计时，为避免干扰，数字地和模拟地最好的连接方式是什么？ |
| [答：mikewang] |
电源分开， 单点接地。 |
[2011-11-9 11:48:10] |
| [问：sdhdshang] |
贵公司的抗辐射技术与其他厂家的同类技术相比有什么特色和优势？ |
| [答：alberttai] |
其他厂家顶多只用三模冗余，其体积大、功耗非常大 |
[2011-11-9 11:49:19] |
| [问：bear19] |
还有，Actel网站上是否有CPLD或者FPGA驱动TFT屏的范例代码可供参考下载呢？因为我再做一个项目，可能需要用到TFT，很想使用贵公司的A1P060这个FPGA的芯片。 |
| [答：mikewang] |
联系我们代理， 他们有现成的代码。 联系方式可从 www.actel.com 得到 |
[2011-11-9 11:49:44] |
| [问：zjwssd] |
FPGA应用中应注意什么？ |
| [答：mikewang] |
与普通数字IC一样用即可 |
[2011-11-9 11:50:55] |
| [问：sdhdshang] |
请问贵公司的产品在山东地区有成功的应用案例吗？在山东地区有代理商吗？ |
| [答：alberttai] |
轧们在北京有代理商。 |
[2011-11-9 11:51:19] |
| [问：dongguanze] |
要避免掉辐射干扰只能选耐辐射(非电磁波干擾类)的FPGA-------没有专门的耐电磁波辐射的FPGA产品吗？还有非电磁波干擾类主要是指什么呢？ |
| [答：mikewang] |
AntiFuse FPGA , Flash FPGA 都满足你要求。 |
[2011-11-9 11:53:19] |
| [问：lingf] |
反熔丝和FLASH的价格上差别大吗？ |
| [答：mikewang] |
Flash价格低， 反熔丝高； 推荐新设计用Flash FPGA |
[2011-11-9 11:54:49] |
| [问：btgy4008] |
如何测试FPGA器件的抗辐射能力？ |
| [答：alberttai] |
方法有很多，最简单可用FPGA上的存储器组成一个长列的移位寄存器来比较预期结果 |
[2011-11-9 11:55:20] |
| [问：ezcui] |
AntiFuse类FPGA和SRAM类FPGA的抗辐射加固技术相同么? |
| [答：alberttai] |
SRAM FPGA 没有抗辐射加固技术可言...顶多只用三模冗余，其体积大、功耗非常高 |
[2011-11-9 11:57:03] |
| [问：ezcui] |
影响FPGA辐射敏感度的具体因素有哪些？ |
| [答：alberttai] |
主要是FPGA工艺 |
[2011-11-9 11:58:02] |
| [问：btgy4008] |
在辐射影响方面是配置翻转占主导还是数据翻转占主导？ |
| [答：alberttai] |
配置翻转主导，因为配置单元占晶片面积最大，受影响的机率也最高 |
[2011-11-9 12:00:01] |
| [问：ezcui] |
中子对FPGA的影响会是永久性的吗？ |
| [答：janwang] |
111111 |
[2011-11-17 9:50:16] |
| [ 最近 10
条问答 ] [ 全部发言 ] |
中电网官方微博
