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| 主题：恩智浦半导体的分立和集成型ESD解决方案 | ||
| 在线问答： | ||
| [主持人：ChinaECNet] | 各位听众（网友），上午好！欢迎参加中电网在线座谈。今天，我们有幸邀请到NXP公司的专家就“来自恩智浦半导体的离散和集成型ESD解决方案”举行在线座谈。在座谈中，您可就您关心的问题与NXP公司的专家在线进行直接、实时的对话交流。中电网衷心希望通过大家的共同努力，不仅能够增进各位听众（网友）对“来自恩智浦半导体的离散和集成型ESD解决方案”的了解和掌握，而且能够为大家事业的发展带来裨益 | [2007-3-9 10:23:06] |
| [问：riello] | NXP目前的ESD保护器件,速度和端电容能达到什么样的水平? | |
| [答：James] | 最小可达到０.６pF.可以满足USB2.0 HDMI1.3等饿应用要求． | [2007-3-9 10:28:48] |
| [问：deng] | 我还想问一下,ESD保护的额定值和器件的那些因素有关?如何进行选择?谢谢 | |
| [答：Mark] | 指的是能承受的静电的最大值。 | [2007-3-9 10:30:24] |
| [主持人：ChinaECNet] | 我们已经进入问答阶段如果听众想重温演讲或内容可以点击下面“回顾演示”重看演讲。 | [2007-3-9 10:30:26] |
| [问：totty_zhu] | 您好,请问就手机产品而言,ESD性能在温度和湿度不同的环境下,试验结果会有如何的影响,变化是否与环境条件有一定的规律参考? | |
| [答：James] | 温度过高，温度过高都回影响到结温，ESD保护在本质上都是二极管PN结的特性，ESD 特性应该会变差． | [2007-3-9 10:32:13] |
| [问：domi] | ESD保护的效果和那些因素有关?和工艺有关吗?如果工艺的尺寸降低,是否是所保护的ESD电压也跟着下降?请专家给介绍一下 | |
| [答：Mel] | yes, it is related to technology of ESD device. Of course, RD"s layout is also important, especially the ground pin.second one, ESD protection capability will not reduced duo to small size. it is related to technology. | [2007-3-9 10:33:37] |
| [问：riello] | ESD保护器件的可靠性如何?我的意思是ESD的响应时间是多少?尖脉冲通过ESD保护器件后的剩余电压还有多高? | |
| [答：Charlie] | 针对IEC的标准, 其尖峰上升时间为0.7-1ns. 所以要求ESD保护器件的响应速度非常高. 另外对于尖峰脉冲经过保护后的剩余电压,可以作如下选择: 1.因为尖峰时间非常短, 大部分器件可以不受尖峰的影响.单个ESD管保护后瞬时尖峰电压仍可能高达数百伏. 2. 对极短时间尖峰脉冲敏感的器件, 可以选择带pi型结构的IDs. 其尖峰值可以限制在二极管钳位电压附近. | [2007-3-9 10:37:04] |
| [问：Tai] | 请问专家,PESD5V0S1BL和PESDxL4UG的ESD额定值不同,它们的工艺是否也不一样?能否介绍一下? | |
| [答：James] | 工艺是有些差异，这里所说的差异指结深不同，即是VZ不同，结面积不同，即是结电容不同，另外，保护线路不同，S1中的１表是保护一路，L4中的４表示保护４路，就是说在同一封装中有４个TVS管构成阵列． 我还想指出的是，ESD器件在本质上是分立元件，没有线宽或是MOS的概念． | [2007-3-9 10:39:24] |
| [问：vincent] | 电路中加入这么多的二极管保护电路，会不会带来噪声问题如PN结产生的噪音? | |
| [答：Mel] | basiclly, our product will not rise too much "cross talk" issue. so it shoule be no problem. | [2007-3-9 10:40:24] |
| [问：lileo] | 目前市场上有多种ESD保护方案，如TVS DIODE，PIN diode, zener diode, schottky diode and varistor. 你们主要采用的是哪种？他们之间有何区别？ | |
| [答：Stanley] | In NXP, we are providing diode, Zener diode, schottky diode. TVS diode are in planning and developing statage. Actually they are different types of products, and adopted to different types of application. For example, zener and schottky are commodity types and cheaper in price. PIN diode are mainly for RF application, and we have a specially ESD diode for ESD protection. | [2007-3-9 10:41:04] |
| [问：cyz_arm] | 是否已经有NXP的ESD器件的应用方案？在哪里可以下载？谢谢！ | |
| [答：Gary] | 目前NXP已经有许多ESD器件的应用方案,例如USB, HDMI,Microphone等等. 你可以从NXP的官网下载到相应的Application notes, 或者您也可以直接联系我们,提供给您所需的应用方案. | [2007-3-9 10:42:14] |
| [问：riello] | 请问在PCB上使用分立和集成保护器件，需要注意哪些事情？ | |
| [答：Charlie] | 对ESD保护器件的基本准则: 1. 保护管尽量靠近接口 2. 保证良好的接地. 此外比较小尺寸的保护管建议不要太靠近PCB边缘. 对于IDs如果需要我们可以提供参考的layout建议以及测试板. | [2007-3-9 10:42:29] |
| [问：bjxiong] | 在PCB的设计上，加入这种二极管保护电路，对PCB的设计有无额外的要求？ | |
| [答：James] | 一般没有什么额外要求，只要并入线路中即可。但对与IP系列，需稍微注意一下阻抗匹配．参照规格书中的要求． | [2007-3-9 10:42:56] |
| [问：yaa] | 集成解决方案中多个ESD保护器件中,未用上的器件如何处理,是开路还是接地好? | |
| [答：Stanley] | Of course it should be better to connect with GND, otherwise charge may be accumulate in the open pin to alter the HIGH/LOW polarity. | [2007-3-9 10:45:58] |
| [问：encaon] | NXP的EMI器件在手机的850M和1900MHz时能同时提供的最大衰减是多少dB? | |
| [答：Charlie] | 对不同的IDs我们各个产品的衰减有一些不同.基本的标准是在800-3000MHz内达到-30dB. 当然也要看各个接口的具体要求. 每个产品的具体值可以和NXP的工程师联系或参考数据手册. | [2007-3-9 10:46:07] |
| [问：lirongxun] | ESD solution 多用于接口上，因为那里最容易产生ESD的问题，对于在有些需要嵌入到IC中的ESD保护电路，如何解决PCB的布线问题？ | |
| [答：Mel] | 您問的問題有點廣,NXP在ESD的解決方案上已有多年的經驗,如果您有布線上的問題,歡迎和我們聯絡,我們可以共同討論解決您的疑問. | [2007-3-9 10:47:08] |
| [问：yaa] | 另外,NXP有USB2.0的保护器件吗? 可否在详细解释一下USB2.0的保护器件的性能? | |
| [答：Mac] | 有．纯ＥＳＤ保护二极管的型号为ＰＲＴＲ５Ｖ０Ｕ２ＡＸ．其性能满足ＵＳＢ２．０的应用．具体的产品规范请上ＮＸＰ网站：www.nxp.com. 另，也有ＥＳＤ＋ＥＭＩ滤波器的产品，型号为ＩＰ４０５９ＣＸ５／ＬＦ（ＣＳＰ封装）．方便的话，请留下详细联系信息，以便进一步沟通！ | [2007-3-9 10:48:26] |
| [问：Tai] | 对于ESD 保护二极管, 什么时候采用分立型,什么时候采用集成型？是根据尺寸还是ESD保护电压? | |
| [答：Gary] | ESD器件主要是根据您的应用来添加的,所以单路,双路以及多路的可以灵活应用,而针对于USB, HDMI等特殊接口,NXP推出了高集成性的ESD器件已达到优良的保护效果以及节省布板面积和成本. | [2007-3-9 10:49:46] |
| [主持人：ChinaECNet] | 我们已经进入问答阶段如果听众想重温演讲或内容可以点击下面“回顾演示”重看演讲。 | [2007-3-9 10:49:48] |
| [问：domi] | 请问一下,分立和集成的ESD保护方案在方案电压和效果上有何区别? | |
| [答：James] | 在电压和效果上没有区别，只是在封装尺寸上不同，若是单独ESD保护，不需要EMI滤波，分立的方案是较多的．如果加上俄EMI滤波等要求，必须要选择集成方案． | [2007-3-9 10:50:19] |
| [问：zzkeng] | 现在很多IC都在内部集成了ESD保护，这类器件是否还需要外加ESD吗?为什么? | |
| [答：Charlie] | 一般的IC会内置2kV的HBM ESD防护标准. 但对更新制程的IC通常很难达到这个标准. 这时候就需要外置的ESD防护器件进行保护. 此外. IEC的ESD防护标准是接触式8kV.如果要通过测试的话, 额外的ESD保护也成为必要. | [2007-3-9 10:51:13] |
| [问：luogongqiang] | PCB布局中对ESD有什么特殊的要求或提示? | |
| [答：James] | 在布局时尽量离被保护元件近一些，刚才我还提到过，对于IP系列，还需参照规格书，稍微注意一下阻抗匹配． | [2007-3-9 10:52:15] |
| [问：bjxiong] | 应用在LCD连接器和SD存储器,多媒体卡的ESD器件有什么不同?应用时如何选择ESD保护器件? | |
| [答：Mark] | 首先要考虑速率和信号电平，所加的ESD器件不能影响数据传输。我们有推荐的MMC ESD device, e.g, IP4052CX20. | [2007-3-9 10:52:30] |
| [问：lbgy] | 集成有EMI+ESD功能的器件,NXP有那些型号?性能如何?主要用在什么地方? | |
| [答：Charlie] | 我们可以提供函盖baseband可能用到的各个接口的产品. 绝大多数都是根据业界的领先手机厂商的要求设计. 如果需要具体的选型或测试, 可以联系工程师, 我们会提供相应的测试板供您测试. | [2007-3-9 10:53:57] |
| [问：lijiang01] | 在IC中连接ESD保护电路前，必须知道ESD电压或电流是多少，如何测试？ | |
| [答：Mel] | actually, most company will set up a standard for ESD testing. For example, some notebook company could work after 4KV contact ESD pulse. So when RD would like to do the test, they have to use "equitment" to generate 4KV ESD pulse to do the test. | [2007-3-9 10:54:11] |
| [问：meteor_chu] | 手机中ESD防护设计要从那几方面考虑? | |
| [答：Mark] | every interface should be considered to ESD protection, e.g, keyboard, USB, phone, SIM, etc.. | [2007-3-9 10:54:59] |
| [主持人：ChinaECNet] | 在此回答问题的专家是NXP公司的：Charlie Bei、Mac Lu、Mark Gao、James Lu、Gary Chen、Stanley Tse、Eileen Li和Mel Lee。 | [2007-3-9 10:56:06] |
| [主持人：ChinaECNet] | 各位观众，现在用户提问很踊跃，专家正在逐一回答。请耐心等待您问题的答案，同一问题请不要多次提交。 | [2007-3-9 10:56:16] |
| [问：deng] | 和ST, Fairchild等公司相比,NXP的ESD保护器件在尺寸上和性能上有何优势? | |
| [答：Mac] | 我公司是业界第一个推出ＳＯＤ８８２及ＳＯＤ８８３封装产品的．作为性能方面，我公司的很多产品均远远大于ＩＥＣ６１０００－４－２，level 4的标准（接触电压８ＫＶ，空气放电１５ＫＶ）．如ＰＥＳＤ５Ｖ０Ｓ１ＢＬ的ＥＳＤ保护电压可达３０ＫＶ．另，我公司的二，三极管产品的全球市场占有率均为第二位． | [2007-3-9 10:56:21] |
| [问：lirongxun] | NXP的ESD保护器件,目前的串联电感能达到什么样的水平?可达到nH级吗? | |
| [答：Mel] | we don"t have inductance product released yet. It"s planned to release at 2008. | [2007-3-9 10:57:24] |
| [主持人：ChinaECNet] | 各位观众，现在用户提问很踊跃，专家正在逐一回答。请耐心等待您问题的答案，同一问题请不要多次提交。 | [2007-3-9 10:58:26] |
| [问：kllyj2008] | USB2.0的传输速率高达480Mbps,NXP的ESD保护器件对速率有大影响?它的电容值最小能达到多少? | |
| [答：Charlie] | 针对超高速接口如USB2.0, HDMI, DVI等, 我们提供PRTR系列的产品进行保护, 线电容<1pf. 经过我们和多家客户的测试, 在加入此类产品后USB信号眼图不会有什么变化.所有对SI没有什么影响. | [2007-3-9 10:58:36] |
| [问：meteor_chu] | 普通二极管,肖特基管和TVS有什么不同?都能用作ESD保护吗? | |
| [答：Gary] | 可以,但应用的领域有所不同.一般的稳压二极管是用于稳压的，其特点是有较精确的击穿电压，能承受的电流不大.稳压二极管的击穿电压标称值很齐全,从几伏到几百伏。TVS也可用于保护. 可以在特定电压下被击穿，使电路免受高压，不追求击穿电压的精确。能承受的瞬时电流很大，例如几十A，一般是瞬时的变动特大的电流. NXP推出有专门的PESD系列的ESD器件. | [2007-3-9 10:58:54] |
| [问：lirongxun] | ESD保护器件的应用，是否也有频率范围的限制?一般频率范围是多少? | |
| [答：Mark] | ESD器件有分布电容，它会影响高速信号的上升延和下降延，所以要选择适当的分布电容，使ESD器件不影响信号的一致性。 | [2007-3-9 10:59:24] |
| [问：Tai] | 二极管的导通电压会受温度，半导体工艺（PN结）等因素的影响，这里ESD如何处理这个问题？ | |
| [答：James] | 我们的ESD器件都必须通过IEC61000-4-2国际标准的测试，只要按照规格书的技术要求使用，温度和湿度的影响不大． | [2007-3-9 10:59:25] |
| [问：zhyxdhn] | 请介绍用于HDMI的ESD保护器件和抗EMI器件的型号和主要性能.谢谢! | |
| [答：Stanley] | For HDMI, we mainly have IP4776CZ38 and PRTR5V0U4D. For the detail, please help to contact with NXP engineer or NXP authorized distributors. | [2007-3-9 10:59:48] |
| [问：domi] | 当静电击穿后，TVS是短路并永久损坏吗? | |
| [答：Mel] | yes. | [2007-3-9 11:00:16] |
| [问：bjxiong] | 现在ESD的市场前景如何？ | |
| [答：Gary] | 随着现代半导体工艺的迅速发展, 沟道厚度的减小, 在芯片集成度提高, 功能越来越强大的同时对ESD的防护性能却大大减小. 例如对90nm的CMOS工艺来说, 超过1.6V的源-漏极电压就已经非常危险. 要在芯片上实现完全的ESD防护几乎成为不可能, 因此外围ESD防护器件得到越来越广泛的应用.ESD的市场需求会越来越大. | [2007-3-9 11:01:57] |
| [问：luogongqiang] | 请问手机按键的保护,能采用贵公司什么样的方案？那种型号?是每个按键上都要加ESD保护器件吗？ | |
| [答：Mac] | 一般地说，要取决于具体的电路，主要是被保护的路数及ＰＣＢ面积．我们有一系列产品．若单路０４０２的话，可选用ＰＥＳＤ３Ｖ３Ｓ１ＵＬ． | [2007-3-9 11:02:06] |
| [问：lirongxun] | NXP的抗EMI滤波器能承受的电流能力有多大? | |
| [答：Charlie] | 我们的EMI滤波器采用的是RC或LC组成的pi型或T型结构. 各个通道的最大电流一般为15mA. 足以应付普通的信号通路. | [2007-3-9 11:04:53] |
| [问：domi] | 在音频通路中插入EMI，对输入动态范围有无影响? | |
| [答：Mel] | our product is CSP technology and interface specific product. So if you would like to put NXP"s product in your audio interface. just select adequate one from our portfolio. Then it would solve your EMI issue. | [2007-3-9 11:05:10] |
| [问：health] | IP4260CZ28除SCART外，还包含哪些接口？它是专用于音频/视频领域的产品？ | |
| [答：Mark] | we suggest to use IP4260CZ in SCART ESD application, it can also use in other interface, its capacitor is 100pF. | [2007-3-9 11:05:24] |
| [问：kllyj2008] | LCD显示屏的EMI干扰问题,NXP有何好的建议? | |
| [答：Mac] | 我们有一系列ＥＳＤ＋ＥＭＩ滤波器产品．首先要取决于通道的速率．通道数等． | [2007-3-9 11:06:20] |
| [问：deng] | SOD323和SO8 ESD保护器件的性能是一样的吗?可以互换吗? | |
| [答：Stanley] | They are different package. SO8 is integrated items and SOD323 are single type. Of course the characteristic is depending on the dice inside. | [2007-3-9 11:07:11] |
| [问：czhao] | What’s the difference between Varistor and TVS that both can prevent ESD | |
| [答：Mel] | Varitor"s performace will change after one time ESD pulse. and it will not be triggered if the ESD pulse is lower than 100V. Regarding to TVS, the performance is always the same after more than 10 thousand hits by ESD pulse. and most important thing is it will be response to ESD pulse very quickly. | [2007-3-9 11:08:02] |
| [问：chunsen] | 在扬声器放大器部分采用EMI器件后，原来电路中采用的交流耦合电容值是否需要调整？如何调整? | |
| [答：Mark] | 串联电阻值和分布电容会影响音频频响，可据此调整电容值。 | [2007-3-9 11:08:02] |
| [问：cys-a] | USB2.0和1.1的保护架构有何区别？是否后向兼容？ | |
| [答：Charlie] | 用于USB2.0的保护产品可以用于USB1.1接口. 但反向不兼容. 其主要考虑的指标是保护器件带入的线电容. | [2007-3-9 11:08:42] |
| [问：lbgy] | ESD和EMI相互间有矛盾,如从ESD速度考虑要选用电容小的,电容小的EMI就增加了.NXP的集成解决方案如何平衡这对矛盾? | |
| [答：Mel] | just like you said, it could not be solved easily. that"s the reason NXP provide a wide porfolio. You have to chose the "best" one to your circuit. If you need more information. please contact us. | [2007-3-9 11:11:35] |
| [问：chenkexian] | 请问：VDMOS分立器件中一般采用何种形式的ESD技术？ | |
| [答：James] | 我不很明白这个问题，您是不是问在VDMOS中是怎么实现ESD保护的？VDMOS是制作功率MOS器件的一种工艺，在ＶＤＭＯＳ中实现ＥＳＤ保护应该和IC中一样．这个问题我也很感兴趣，如果方便，您可以直接跟我联系，咱们可以深入讨论．phone:0755-8268 8253,cell phone:13923780872 | [2007-3-9 11:11:39] |
| [问：yuanli25] | 请问在以太网中，ESD保护器件是加在网络隔离变压器器的哪一面比较合理？ | |
| [答：Mel] | near the connector. | [2007-3-9 11:12:22] |
| [问：lijiang01] | PESD5V0S1BL提及的0402电阻替换是何含义？能否具体说明一下? | |
| [答：Charlie] | PESD5V0S1BL本身是0402的本体尺寸.所以其大小和0402的压敏电阻相同. 但对建议的footprint有一些不同(微小的不同), 但PESD5V0S1BL可以放在0402压敏电阻的layout上.所有用于测试的时候可以直接使用. | [2007-3-9 11:12:58] |
| [问：cys-a] | EMI滤波器的通带损耗和阻带频率有多高?适合那些频段? | |
| [答：Mac] | 不同的产品对应于不同应用（通道损耗及阻带）． | [2007-3-9 11:12:59] |
| [问：DirectCG] | 抗EMI器件的参数中经常看到插入阻抗，请问应该如何根据此参数来选择器件？ | |
| [答：Mark] | 考虑插入阻抗对信号的衰减，匹配选择。 | [2007-3-9 11:13:34] |
| [问：lbgy] | 请专家较为详细介绍用于SCART接口的ESD保护器件IP4260CZ28的性能.谢谢! | |
| [答：Charlie] | 您好!因为时间关系, 请您留下具体的联系方式, 我们的工程师会和您联系进行具体的讨论. | [2007-3-9 11:14:33] |
| [问：vincent] | ESD保护采用的是普通二极管,肖特基管还是TVS？需要考虑二极管反向电压和反向电流的影响？ | |
| [答：Mel] | TVS technology. No. | [2007-3-9 11:15:28] |
| [问：lijiang01] | 从给出的防ESD的芯片来看，似乎都是 discrete solution,都是外接保护电路，how about integrated solution in IC with very limited space? | |
| [答：Charlie] | 我们也在和一些业界领先的IC厂商进行合作对IC集成的ESD保护方案进行研发. 现有的方案包括: 1.在IC封装时片内同时加入ESD保护芯片. 2. 将IC芯片贴在CSP封装的ESD保护芯片表面. 这些都已经有具体的产品推向市场. | [2007-3-9 11:17:18] |
| [问：domi] | 数字电路和模拟电路，哪个更容易受ESD的影响？ | |
| [答：Mark] | 都会收到影响，ESD器件可以保护IC不会因为ESD而损坏。 | [2007-3-9 11:20:34] |
| [问：health] | 请介绍各种ESD保护器件的线路电容的范围.谢谢! | |
| [答：Mel] | for high speed I/O, for instance, HDMI< 1pF, USB2.0 < 5pF, for audio inerface, <150pF...if you need more detail information, please contact us. We will prepare a complete selection guide for you. | [2007-3-9 11:20:39] |
| [问：chunsen] | ESD保护器件用在模拟电路时如何考虑所遇到的串扰问题? | |
| [答：Charlie] | 需要对模拟电路中的信号线可以承受的串扰度进行考虑. 不同的产品我们会提供各通道间的串扰值给工程师参考. | [2007-3-9 11:20:51] |
| [问：zhyxdhn] | 请问专家,NXP的ESD和EMI器件可用在汽车电子中吗? | |
| [答：Gary] | NXP除了有普通接口的ESD保护器件可以用于汽车电子外,还专门针对LIN-bus和CAN-bus的ESD保护IC. | [2007-3-9 11:21:56] |
| [问：health] | 1． 芯片的I/O很容易受ESD问题的影响，从而影响整个芯片的工作， I/O口如何通过连接二极管保护电路来达到这个问题的避免？ | |
| [答：Mac] | 在应用中，将ＥＳＤ二极管的负极与需保护的信号线相连接，正极与地线相连．在ＰＣＢ排板时，应尽可能将ＥＳＤ二极管靠近Ｉ／Ｏ口．选用时，应考虑工作电压，速率，路数，封装等． | [2007-3-9 11:23:32] |
| [问：zzkeng] | 专家能否建议在音频部分和LCD等高速电路如何选用NXP的ESD产品?请给出相应的型号.谢谢 | |
| [答：James] | Aoudio:PESD3V3L5UY in SOT363PESD5V0L5UY in SOT363PESD3V3L5UV in SOT666PESD5V0L5UV in SOT666PESD3V3L1BA SOD323PESD5V0L1BA SOD323PESD5V0S1BA SOD323线路，封装不同，还有很多．．．USB:PRTR5V0U2X / PRTR5V0U2AX IP4220CZ6HDMI:PRTR5V0U4DIP4776CZ38 | [2007-3-9 11:23:53] |
| [问：encaon] | 请问解决电磁干扰和那些因素有关?主要从哪些方面来解决? | |
| [答：Mark] | EMI device can be used in EMI filter。We have solution to different interface. | [2007-3-9 11:24:56] |
| [问：chunsen] | NXP分立的ESD芯片,与集成的ESD器件在结构和功能上有什么区别?谢谢! | |
| [答：Mel] | ESD series, focus on ESD only. Integrated Discretes, focus on EMI/ESD and combine impedance, level shift, buffer....it"s different. | [2007-3-9 11:25:38] |
| [问：DirectCG] | NXP的抗EMI器件采用那种滤波结构?那种效果好些? | |
| [答：Charlie] | Generally speaking, the pi-filter and integrated T-filter structures show a more suitable filter performancein digital high ohmic input busses compared to an ideal T-filter (including parasitic inductors) with the same channel capacitance due to the steeper slope of the transition from pass- to stop-band.具体的测试报告我们可以提供给您! | [2007-3-9 11:25:38] |
| [问：cys-a] | 在analog video/VGA interface 的ESD protection 电路中，termination resistor 为什么是75欧？ | |
| [答：Mel] | it should be 65ohm, and we don"t just have one resistor value, we have 10ohm,55ohm,and 65ohm. It"s depend on your request. | [2007-3-9 11:26:38] |
| [问：cys-a] | 是否可以通过把IC尽量靠近I/O口来避免ESD问题的产生？ | |
| [答：Charlie] | 正相反的是应该尽量把IC离开I/O口. ESD都是外部引入的, 所以离IC越远越好. | [2007-3-9 11:26:55] |
| [问：health] | 能否分析一下USB protection 电路 PRTR5V0U2X中的电路具体是怎么工作的？ | |
| [答：Mark] | PRTR5V0U2X， 当正向ESD来的时候， 连向Vcc的二极管导通。当负向ESD来的时候， 连向GND的二极管导通。从而快速泄放ESD。 | [2007-3-9 11:27:42] |
| [问：zhyxdhn] | 除了家电、影音、无线通信领域，产品还包含哪些应用领域? | |
| [答：Charlie] | 我们的产品针对较常用的接口而设计. 如汽车电子, 通讯产品等同样可以使用. | [2007-3-9 11:28:03] |
| [问：domi] | 请问目前ESD保护，有没有什么特定的标准?最高的标准是什么?谢谢! | |
| [答：Mel] | IEC61000-4-2 Level 4, contact 8kv, or air 15kv. | [2007-3-9 11:28:53] |
| [问：domi] | ESD保护电路中的二极管个数有upper limit吗？ | |
| [答：Charlie] | ESD保护二极管的内部晶元大小是不能做的很小的, 所以同一封装内的二极管个数是和封装的大小和散热能力有关系. | [2007-3-9 11:30:01] |
| [问：zhyxdhn] | 对于IP4064CX/LF保护芯片，为什么提到市“low cap version”? | |
| [答：Mark] | 分布电容IP4044CX8(35pF)，IP4064CX8(<20pF)，都可以用于SIM 保护。 | [2007-3-9 11:31:41] |
| [问：health] | 如何选择ESD保护器件?主要的依据是什么?不同接口或外设的ESD保护器件是否相同? | |
| [答：Mel] | NXP provide different product for different interface. so you don"t have to care about how to select a right one. just call us, we will provide you a total solution. | [2007-3-9 11:33:15] |
| [问：HWT2075] | ESD 主要针对的目标产品是什么 | |
| [答：Charlie] | ESD产品通常针对接口来设计. 当然也会有目标客户. 较大的如手持设备, 家电, 计算机等. 其它如汽车电子, 通讯产品等也有很多使用. | [2007-3-9 11:33:45] |
| [问：czhao] | 用于音频解决方案的产品有何特色？ESD保护性能达到多高？ | |
| [答：James] | 一个封装中有多个TVS管组成阵列，元件数量少，另外有．多种方案可供选择．ESD性能根据IEC61000-4-2标准，接触放电８kV，空气放电１５kV.很多器件都会超过这个标准，请参考规格书． | [2007-3-9 11:35:21] |
| [问：kllyj2008] | 手机中抑制EMI的器件主要用在那几个部位?它对脉冲信号的影响有多大? | |
| [答：Mac] | 在手机应用中，对于基带部分，ＲＦ是有害信号．故ＥＳＤ＋ＥＭＩ器件常被用于在基带的各部分（尤其是在接口及接插件部分）．只要选用合适的产品，就不会对脉冲有影响． | [2007-3-9 11:35:55] |
| [主持人：ChinaECNet] | 由于时间关系，本次中电网“在线座谈”马上就要结束了。虽然各位听众（网友）已与NXP公司的专家讨论了许多问题，但是还有许多提问没有来得及进行交流。本次在线座谈结束后，中电网将请NXP公司的专家继续答复所有的来自各位听众（网友）的提问，然后整理上载到中电网网站上，以便大家查阅。 | [2007-3-9 11:37:53] |
| [主持人：ChinaECNet] | 在此，中电网特别感谢给予本次中电网在线座谈巨大支持的NXP公司，特别感谢专门在线回答各位听众（网友）提问的NXP公司的各位专家们，特别感谢各位听众（网友）积极热情的参与。 | [2007-3-9 11:38:10] |
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq: NXPI）汇集英才，共同创造突破性技术，为更智慧安全的互联世界保驾护航。作为全球领先的嵌入式应用安全连接解决方案提供商，恩智浦不断寻求汽车、工业物联网、移动设备和通信基础设施市场的突破，同时不断推出解决方案，助力实现可持续发展的未来。恩智浦拥有超过60年的专业技术及经验，在全球30多个国家设有业务机构，员工达34,500人，2022年全年营业收入132.1亿美元。更多信息请登录www.nxp.com.cn。
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